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프리텍스쳐에서 유래되는 자기 조립 나노세공 형성 방법 및그에 의해 제조되는 피막 부재

  • 기술번호 : KST2015212741
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양극산화법을 이용하여 모재표면에 자기 정렬된 산화물 나노세공(Nanopore)을 제공하는 방법 및 이에 의해 제조되는 피막 부재에 관한 것이다. 본 발명은, 모재의 표면에 다공성 산화물 피막을 형성하는 방법에 있어서, 모재에 전압을 인가하여 1차 양극 산화를 하는 단계; 상기 1차 양극 산화 단계에서 형성된 피막을 제거하여 모재 표면에 프리텍스쳐를 형성하는 단계; 및 프리텍스쳐가 형성된 모재에 1차 양극산화 때보다 낮은 전압을 인가하여 상기 모재를 2차 양극 산화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 피막 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 불규칙적인 나노 세공이 집단별로 일정한 패턴으로 배열되어 자기 정렬된 나노 세공 피막 부재를 제공할 수 있게 되며, 종래에는 얻을 수 없었던 20 nm 이하의 나노 세공의 자기 정렬도 본 발명의 방법에 의해 가능하다. 본 발명은 고밀도 디바이스, CNT 디바이스, 포토닉 디바이스등 차세대 나노디바이스 및 나노응용 기술에 큰 역할을 할 것이다.양극산화, 자기조립, 나노세공
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC C25D 11/16(2013.01) C25D 11/16(2013.01) C25D 11/16(2013.01)
출원번호/일자 1020060128368 (2006.12.15)
출원인 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
등록번호/일자 10-0842850-0000 (2008.06.25)
공개번호/일자 10-2008-0055277 (2008.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20080702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.15)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원) 대한민국 서울특별시 강남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허승헌 대한민국 서울 동작구
2 류도형 대한민국 서울 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0929126-32
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0575262-66
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0930896-28
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0930909-34
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0228256-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2008-5187618-45
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번호 청구항
1 1
모재의 표면에 다공성 산화물 피막을 형성하는 방법에 있어서,모재에 전압을 인가하여 1차 양극 산화를 하는 단계; 상기 1차 양극 산화 단계에서 형성된 피막을 제거하여 모재 표면에 프리텍스쳐를 형성하는 단계; 및프리텍스쳐가 형성된 모재에 1차 양극산화 때보다 낮은 전압을 인가하여 상기 모재를 2차 양극 산화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 피막 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 2차 양극 산화 전압과 상기 1차 양극 산화 전압의 차는 1 V 이상인 것을 특징으로 하는 나노 다공성 피막 형성 방법
3 3
제1항 또는 2항에 있어서,상기 1차 양극 산화 단계 및 2차 양극 산화 단계는 서로 다른 산 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 피막 형성 방법
4 4
부재 표면에 형성된 프리텍스쳐로부터 유래하는 복수의 다공성 영역으로 구성되며, 상기 영역은 소정 패턴으로 주기적으로 반복되며, 상기 영역 각각은 상기 프리텍스쳐면으로부터 내부로 연장하는 복수의 나노 세공으로 이루어지는 나노 다공성 산화 피막 부재
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.