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탄소재 상에 내산화성 다층코팅을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2015212833
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소재 상에 내산화성을 갖는 다층 코팅을 제공하는 방법이 개시된다. 탄소재에 실리콘 가스 또는 실리콘 산화 가스를 상기 탄소재와 반응하여 상기 탄소재의 표면에 SiC를 포함하는 제1 코팅층을 증착하는 단계, 상기 제1 코팅층이 형성된 탄소재를 폴리카보실란 용액으로 딥 코팅하여 제2 코팅층을 형성하는 단계 및 상기 제2 코팅층을 열분해하여 탄화물을 형성하기 위해 상기 탄소재를 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소재의 내산화성 다층 코팅 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 내산화성이 우수한 양질의 SiC막을 탄소재 표면에 제공할 수 있다.탄소재, CVR, 팩 파우더, 폴리카보실란, 딥 코팅
Int. CL C23C 28/00 (2006.01) C23C 16/00 (2006.01) C04B 41/50 (2006.01)
CPC C23C 28/00(2013.01) C23C 28/00(2013.01) C23C 28/00(2013.01) C23C 28/00(2013.01) C23C 28/00(2013.01)
출원번호/일자 1020060057785 (2006.06.27)
출원인 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
등록번호/일자 10-0776252-0000 (2007.11.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원) 대한민국 서울특별시 강남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류도형 대한민국 서울 금천구
2 김경자 대한민국 경기 군포시
3 김영희 대한민국 서울 서대문구
4 조광연 대한민국 서울 구로구
5 정영근 대한민국 서울특별시 마포구
6 홍현정 대한민국 서울 금천구
7 허승헌 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 *
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0455541-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0023489-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0248073-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0492283-09
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0492291-64
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0569670-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2008-5187618-45
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소재에 탄화물을 포함하는 팩 파우더에 의해 제공되는 실리콘 가스 또는 실리콘 산화 가스를 반응시켜, 상기 탄소재의 표면에 SiC를 포함하는 제1 코팅층을 증착하는 단계;상기 제1 코팅층이 형성된 탄소재를 폴리카보실란 용액으로 딥 코팅하여 제2 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 코팅층을 열분해하여 탄화물을 형성하기 위해 상기 탄소재를 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소재의 내산화성 다층 코팅 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 폴리카보실란은 폴리메틸카보실란, 폴리메틸페닐카보실란, 폴리비닐카보실란 및 폴리메틸실란으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소재의 내산화성 다층 코팅 형성 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 팩 파우더의 탄화물은 SiC 또는 B4C인 것을 특징으로 하는 탄소재의 내산화성 다층 코팅 형성 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제2 코팅층 형성 단계에서 폴리카보실란 용액에서의 딥 코팅은 용액의 농도를 달리하여 복수회 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소재의 내산화성 다층 코팅 형성 방법
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.