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경사면 실리콘 기판을 이용한 비극성 질화물 박막성장 방법

  • 기술번호 : KST2015212883
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비극성 질화물 박막 성장 방법에 관한 것으로서, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 기판 표면 스텝 측면이 (111)면이 되도록 경사 가공한 경사면 실리콘 기판 상층에 전이금속 카바이드 버퍼층을 형성한 후, 그 상층에 질화물 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 경사면 실리콘 기판을 이용한 비극성 질화물 박막성장 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 특정 면방향을 갖는 실리콘 기판에 얇은 WC 버퍼층을 형성하는 간단한 프로세스 만으로 비극성 질화물 박막결정 구현이 가능하고, 저가의 실리콘 기판을 사용하여 고품질, 고결정성을 갖는 대구경의 질화물 박막을 제작할 수 있어 경제적인 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/10 (2014.01) H01L 33/16 (2014.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020100016804 (2010.02.24)
출원인 한국해양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1123352-0000 (2012.02.27)
공개번호/일자 10-2011-0097136 (2011.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20120323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국해양대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 영도구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장지호 대한민국 부산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국해양대학교 산학협력단 부산광역시 영도구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0121907-83
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207429-30
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0320667-68
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0607713-22
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0095943-87
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0160797-74
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002381-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5117570-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048802-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048803-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077236-51
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번호 청구항
1 1
기판 표면 스텝 측면이 (111)면이 되도록 경사 가공한 경사면 실리콘 기판 상층에 전이금속 카바이드 버퍼층을 형성한 후, 그 상층에 질화물 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 경사면 실리콘 기판을 이용한 비극성 질화물 박막성장 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 전이금속 카바이드 버퍼층은, 텅스텐 카바이드(WC)인 것을 특징으로 하는 경사면 실리콘 기판을 이용한 비극성 질화물 박막성장 방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 경사면 실리콘 기판을 화학적 식각이나 연마를 통해 제거하여 비극성 질화물 자립형 기판의 구현이 가능한 것을 특징으로 하는 경사면 실리콘 기판을 이용한 비극성 질화물 박막성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국해양대학교 산학협력단 대학IT연구센터지원사업 LED 해양수산 조선산업 융합을 통한 그린 IT기술개발
2 교육과학기술부 한국해양대학교 산학협력단 기초연구사업-일반연구자 지원사업 텅스텐 카바이드 성막 된 경사면 Si 기판을 이용한 비극성 m면 질화물 박막성장 방법