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Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체를 이용한 다중접합 고효율 태양전지용 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015212895
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고효율 다중접합 태양전지를 제작하기 위한 방법에 관한 것으로서, GaSb 기판 상에 In을 포함하지 않는 II-VI족 화합물 반도체 박막을 성장시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체를 이용한 다중접합 고효율 태양전지용 박막의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 고갈이 예상되어 높은 가격 상승률을 보이고 있는 In과 같은 재료를 사용하지 않고도, 태양빛의 전파장 영역에서 효율적으로 빛을 흡수할 수 있어, 태양전지의 제조 단가를 대폭 낮출 수 있어 저가의 고효율 태양전지용 박막의 구현이 가능한 이점이 있다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/047 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100087961 (2010.09.08)
출원인 한국해양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1157555-0000 (2012.06.12)
공개번호/일자 10-2012-0025821 (2012.03.16) 문서열기
공고번호/일자 (20120618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국해양대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 영도구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장지호 대한민국 부산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국해양대학교 산학협력단 부산광역시 영도구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0584108-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207429-30
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0062378-00
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0538783-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0820256-54
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0820265-65
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0180092-10
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0321104-42
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.04.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0321134-12
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0258770-19
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0431061-79
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0329296-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002381-40
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5117570-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048803-56
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048802-11
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077236-51
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번호 청구항
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4 4
GaSb 기판 표면의 오염을 제거하는 제1단계와;상기 GaSb 기판을 시료 홀더에 장착하여 결정성장 장비에 투입하고, GaSb 기판 표면의 온도를 500℃~600℃로 증가시키는 제2단계와;상기 GaSb 기판 표면에 Sb 분자선(Sb molecular beam)을 조사하여 기판 상층에 Sb 처리를 수행하는 제3단계와;상기 Sb 처리된 GaSb 기판 표면에 In을 포함하지 않는 서로 다른 종류의 II-VI족 화합물 반도체 박막을 2중 또는 3중으로 증착하는 제4단계와;상기 II-VI족 화합물 반도체 박막에 불순물을 주입하는 제5단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체를 이용한 다중접합 고효율 태양전지용 박막의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 결정성장 장비는, MBE (Molecular beam epitaxy) 또는 MOCVD(Metal organic chemical vapor deposition)를 사용하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체를 이용한 다중접합 고효율 태양전지용 박막의 제조방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 제3단계의 Sb 분자선(Sb molecular beam)의 조사량은 500℃~600℃에서 4
7 7
제 4항에 있어서, 상기 II-VI족 화합물 반도체 박막은,AlGaSb, CdSe, ZnTe의 순서로 3중으로 증착되는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체를 이용한 다중접합 고효율 태양전지용 박막의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 AlGaSb의 증착온도는 500℃~600℃이며, 상기 CdSe의 증착온도는 280℃~320℃이며, 상기 ZnTe의 증착온도는 250℃~300℃인 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체를 이용한 다중접합 고효율 태양전지용 박막의 제조방법
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제 7항에 있어서, 제 5단계의 불순물은, 상기 AlGaSb는 p형 불순물로 II족 또는 IV족 원소를 주입하고, n형 불순물로 VI족 원소 또는 IV족 원소를 주입하며, 상기 CdSe는 p형 불순물로 I족 또는 V족 원소를 주입하고, n형 불순물로 III족 원소 또는 VII족 원소를 주입하며, 상기 ZnTe는 p형 불순물로 I족 또는 V족 원소를 주입하고, n형 불순물로 III족 원소 또는 VII족 원소를 주입하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체를 이용한 다중접합 고효율 태양전지용 박막의 제조방법
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1 지식경제부 한국해양대학교 대학IT연구센터 지원산업 LED해양수산조선산업 융합을 통한 그린IT기술개발