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음극과, 음극에서 발생한 전자가 발광층을 여기하여 빛을 발생시키는 양극의 구조를 포함하는 전계발광형 발광소자에 있어서,음극으로 ZnO 나노막대를, 양극으로 AlN 발광층을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 AlN 발광층은,희토류 불순물이 도핑된 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자
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음극과, 음극에서 발생한 전자가 발광층을 여기하여 빛을 발생시키는 양극의 구조를 포함하는 전계발광형 발광소자의 제조방법에 있어서,음극기판에 ZnO 나노막대를 성장시켜 음극을 제작하는 제1단계와;양극기판에 AlN 발광층을 형성시키는 양극을 제작하는 제2단계와;상기 음극과 양극을 접합하여 발광소자를 구성하는 제3단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자의 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 음극기판은,AuGe/ITO를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자의 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 양극기판은,ITO를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자의 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 제2단계의 AlN 발광층에는 희토류 불순물을 도핑하여 양극을 제작하는 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자의 제조방법
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