맞춤기술찾기

이전대상기술

전계발광형 자외광 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015212917
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계발광형 자외광 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 음극과, 음극에서 발생한 전자가 발광층을 여기하여 빛을 발생시키는 양극의 구조를 포함하는 전계발광형 발광소자에 있어서, 음극으로 ZnO 나노막대를, 양극으로 AlN 발광층을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자 및 그 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 경제적이고 안정적인 자외광 발광소자의 구현이 가능하며, 또한 광학적으로는 면광원의 구현이 용이하여 면광원이 필요한 응용이 용이해지며, 대면적 광원의 구성도 가능하기 때문에 예를 들어 살균처리 등에 있어 기존의 광원으로 구현하기 힘든 여러 가지 응용이 가능한 이점이 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H05B 33/26 (2006.01) H05B 33/14 (2006.01)
CPC H05B 33/26(2013.01) H05B 33/26(2013.01) H05B 33/26(2013.01) H05B 33/26(2013.01)
출원번호/일자 1020100126122 (2010.12.10)
출원인 한국해양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0064866 (2012.06.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.10)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국해양대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 영도구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장지호 대한민국 부산광역시 남구
2 구지은 대한민국 울산광역시 동구
3 조유진 대한민국 부산광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0814524-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.09.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2011-0079964-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0194156-16
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0365666-45
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002381-40
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5117570-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048802-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048803-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077236-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
음극과, 음극에서 발생한 전자가 발광층을 여기하여 빛을 발생시키는 양극의 구조를 포함하는 전계발광형 발광소자에 있어서,음극으로 ZnO 나노막대를, 양극으로 AlN 발광층을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 AlN 발광층은,희토류 불순물이 도핑된 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자
3 3
음극과, 음극에서 발생한 전자가 발광층을 여기하여 빛을 발생시키는 양극의 구조를 포함하는 전계발광형 발광소자의 제조방법에 있어서,음극기판에 ZnO 나노막대를 성장시켜 음극을 제작하는 제1단계와;양극기판에 AlN 발광층을 형성시키는 양극을 제작하는 제2단계와;상기 음극과 양극을 접합하여 발광소자를 구성하는 제3단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 음극기판은,AuGe/ITO를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자의 제조방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 양극기판은,ITO를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자의 제조방법
6 6
제 3항에 있어서, 상기 제2단계의 AlN 발광층에는 희토류 불순물을 도핑하여 양극을 제작하는 것을 특징으로 하는 전계발광형 자외광 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국해양대학교산학협력단 대학IT연구센터육성지원사업(ITRC사업) LED-해양수산조선산업융합을 통한 GREEN IT 기술개발