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질화갈륨 성장방법

  • 기술번호 : KST2015212926
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨 성장방법에 관한 것으로, 더욱상세하게는 GaN 성장 조건에서 .산화아연(ZnO)이 열적 화학적으로 취약한 점을 개선하기 위하여 Ⅱ-Ⅲ-Ⅵ족 스피넬(spinel) 구조를 Ⅱ족 산화물과 Ⅲ족 금속층 내부의 상호확산을 통하여 형성시켜 GaN 성장환경에서 ZnO를 보호하여 양질의 GaN이 성장되도록 하는 질화갈륨 성장방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은 Ⅱ족 산화물을 성장시키기 위한 기판을 제공하는 단계; 상기 기판상에 Ⅱ족 원소를 이루어진 버퍼층을 적층하는 단계; 및 열증착에 의해 상기 버퍼층 위에 Ⅲ족 원소로 이루어진 금속층을 적층하는 단계를 포함하되, 상기 기판, 버퍼층 및 금속층으로 이루어진 적층구조를 열처리하여 원자들의 상호확산에 의해 버퍼층과 금속층 사이에 고온에서 안정한 고강도의 Ⅱ-Ⅲ-Ⅵ족 스피넬(spinel) 구조의 보호층이 형성되는 질화갈륨 성장방법을 제공한다.
Int. CL C30B 25/02 (2006.01) C23C 16/34 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) C30B 29/38 (2006.01)
CPC H01L 21/28506(2013.01) H01L 21/28506(2013.01) H01L 21/28506(2013.01) H01L 21/28506(2013.01)
출원번호/일자 1020110041079 (2011.04.29)
출원인 한국해양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1195473-0000 (2012.10.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국해양대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 영도구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장지호 대한민국 부산광역시 남구
2 유진엽 대한민국 부산광역시 동래구
3 최성국 대한민국 부산광역시 영도구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신명빌딩)(한맥국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국해양대학교 산학협력단 부산광역시 영도구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0322168-97
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0331621-80
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0406756-71
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0009734-19
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0251843-35
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0424416-19
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0424417-65
9 등록결정서
Decision to grant
2012.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0576186-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002381-40
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5117570-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048802-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048803-56
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077236-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ⅱ족 산화물을 성장시키기 위한 기판을 제공하는 단계;상기 기판상에 Ⅱ족 원소를 이루어진 버퍼층을 적층하는 단계; 및열증착에 의해 상기 버퍼층 위에 Ⅲ족 원소로 이루어진 금속층을 적층하는 단계를 포함하되, 상기 기판, 버퍼층 및 금속층으로 이루어진 적층구조를 열처리하여 원자들의 상호확산에 의해 버퍼층과 금속층 사이에 Ⅱ-Ⅲ-Ⅵ족 스피넬(spinel) 구조의 보호층이 형성되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은,c-Al2O3 기판에 따르는 방향의 c축 성장이며 단결정을 갖는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 버퍼층의 두께는,100 nm 내지 500 nm 인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 금속층의 두께는,100 nm 내지 200 nm 인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 금속층에는,유사한 성질을 갖는 Ga, In의 Ⅲ족 원소의 금속 물질이 포함되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 고온은,수평형 화로(Furnace)를 이용하여 575oC 내지 625oC의 온도에서 열처리 하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국해양대학교 산학협력단 대학 IT 연구센터 지원사업 LED해양수산 조선산업 융합을 통한 그린 IT 기술개발