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나노패턴을 이용한 고성능 광프로브

  • 기술번호 : KST2015213169
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광프로브에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 프로브의 외부면에 나노 패턴이 형성된 광프로브 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광프로브는 돌출된 형태의 광출력면에 주기적인 나노 패턴이 형성되어 기존의 광 프로브의 투과율에 비해 월등히 향상된 투과율을 제공할 수 있다. 광프로브, 나노패턴
Int. CL G01Q 60/22 (2010.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01)
CPC G01Q 60/22(2013.01) G01Q 60/22(2013.01) G01Q 60/22(2013.01)
출원번호/일자 1020080083543 (2008.08.26)
출원인 선문대학교 산학협력단, 최성수
등록번호/일자 10-0945278-0000 (2010.02.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 선문대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시
2 최성수 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성수 대한민국 충남 천안시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 선문대학교 산학협력단 충청남도 아산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0608778-64
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.01.20 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2009-0037186-42
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0039146-73
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2009.01.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2009.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0006841-17
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0007153-52
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2009.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0014945-00
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0146833-55
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.06.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0336481-97
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0336480-41
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2009.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0320857-88
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0604259-21
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.09.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0604260-78
14 등록결정서
Decision to grant
2009.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0481851-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.26 수리 (Accepted) 4-1-2019-5169188-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
돌출된 광센서의 프로브의 정점을 중심으로 금속박막이 증착된 프로브의 외부 경사면을 따라, 광 출력면에 주기적으로 나노 패턴이 형성된 광프로브
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 돌출된 광센서의 프로브는 피라미드형 또는 원뿔형 구조인 것을 특징으로 하는 광프로브
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 나노 패턴은 위에서 본 형태가 사각형, 원형, 또는 타원형인 것을 특징으로 하는 광프로브
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 나노 패턴은 15 내지 500 nm의 깊이, 1 내지 500 nm의 폭 및 공기와 접하는 금속표면의 표면 플라즈몬 파장의 반(λspp/2) 또는 그 이하의 간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광프로브
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 프로브의 정점에는 직경이 입사파장(λ)의 λ/10 내지 λ인 구멍(aperture)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광프로브
6 6
(a) 실리콘 웨이퍼의 앞면 및 뒷면에 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 형성하는 단계, (b) 상기 실리콘 웨이퍼의 앞면에 형성된 실리콘 산화막과 실리콘 질화막에 패턴을 전사하고, 건식 식각을 통해 식각 마스크를 형성하는 단계, (c) 습식 식각을 통해 앞면의 실리콘 웨이퍼를 식각하여 골을 형성하는 단계, (d) 상기 골을 열산화하여 골 표면에 산화막을 형성하는 단계, (e) 상기 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 형성된 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 건식 식각을 통해 식각 마스크를 형성한 후, 습식 식각을 통해 뒷면의 실리콘 웨이퍼를 식각하여 돌출된 형태의 프로브를 형성하는 단계, (f) 상기 프로브의 정점에 나노 크기의 구멍 형성 및 상기 프로브 표면에 금속박막을 증착하는 단계, 및 (g) 상기 프로브의 구멍 입구 주위의 외부 경사면에 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 광프로브의 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 (f) 단계는 산성용액을 사용하여 구멍을 형성한 후 금속박막을 증착하거나, 또는 금속 박막을 증착한 후 FIB를 이용하여 구멍을 형성하여 진행되는 것을 특징으로 하는 광프로브의 제조방법
8 8
청구항 6에 있어서, 상기 금속박막은 알루미늄, 금 및 은으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 단독 층이거나 상기 금속 층 사이에 절연체가 삽입된 다층형 구조인 것을 특징으로 하는 광프로브의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.