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광센서의 프로브의 정점을 중심으로 프로브와 인접한 측면에 금속박막에 의한 나노미러가 광의 진행방향과 90°미만의 각도를 갖도록 형성된 집중형 광프로브
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웨이퍼의 식각된 홈의 중앙에 광프로브가 배치되고 그 홈의 내 주면에 금속박막에 의한 나노미러가 형성된 집중형 광프로브
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 프로브는 피라미드형 또는 원뿔형 구조인 것을 특징으로 하는 집중형 광프로브
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 금속박막은 프로브의 정점을 중심으로 1 내지 3 ㎛ 이내에 광의 진행방향과 90°미만의 각도를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 집중형 광프로브
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 금속박막은 알루미늄, 금 및 은으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 집중형 광프로브
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 프로브의 정점에는 직경이 입사파장의 λ/10 내지 λ인 구멍(aperture)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 집중형 광프로브
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7
(a) 실리콘 웨이퍼의 앞면 및 뒷면에 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 형성하는 단계,
(b) 상기 실리콘 웨이퍼의 앞면에 형성된 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 실리콘 산화막과 실리콘 질화막에 패턴을 전사하고 건식 식각을 통해 식각 마스크를 형성한 후, 습식 식각을 통해 앞면의 실리콘 웨이퍼를 식각하여 V-골을 형성하는 단계,
(c) 상기 골을 열산화하여 골 표면에 저온산화막을 형성하는 단계,
(d) 상기 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 형성된 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 건식 식각을 통해 식각 마스크를 형성한 후, 습식 식각을 통해 뒷면의 실리콘 웨이퍼를 식각하는 단계,
(e) V-골의 정점에 구멍을 형성하여 프로브를 형성하고, 상기 형성된 구멍을 통하여 알칼리성 용액을 흘려주어 뒷면의 실리콘을 식각하여 돌출된 프로브를 갖는 홈을 형성하는 단계, 및
(f) 상기 돌출된 프로브를 갖는 홈의 내 주면에 금속박막을 형성하는 단계를 포함하는 광센서의 프로브의 정점을 중심으로 프로브와 인접한 측면에 금속박막에 의한 나노미러가 형성된 집중형 광프로브의 제조방법
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청구항 7에 있어서, 상기 금속박막은 알루미늄, 금 및 은으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 집중형 광프로브의 제조방법
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