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박막트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015213192
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 박막트랜지스터의 제조방법은, 투명한 기판의 일부분 상에 투명한 능동층의 패턴을 형성하는 단계; 상기 능동층의 패턴 일부분 상에 창이 위치하도록, 상기 기판 상에 적층 마스크를 형성하는 단계; 상기 적층 마스크의 창 내의 능동층 상에 투명한 게이트 절연막과 투명한 게이트 전극층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 적층 마스크, 게이트 절연막, 게이트 전극층을 제거하여 상기 기판, 능동층의 패턴을 노출시키는 단계; 및 상기 게이트 전극층과 자기정합하도록, 상기 능동층의 패턴 상에 투명한 소스/드레인 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 게이트 전극층과 소스/드레인 전극층을 자기정합시키면서도 투명한 능동층, 게이트 전극층, 및 소스/드레인 전극층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020100035420 (2010.04.16)
출원인 선문대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1073786-0000 (2011.10.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 선문대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남형진 대한민국 충청남도 아산시
2 조남인 대한민국 충청남도 아산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 선문대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0244583-89
2 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0408767-66
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.26 수리 (Accepted) 4-1-2019-5169188-72
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번호 청구항
1 1
투명한 기판의 일부분 상에 투명한 능동층의 패턴을 형성하는 단계;상기 능동층의 패턴 일부분 상에 창이 위치하도록, 상기 기판 상에 적층 마스크를 형성하는 단계;상기 적층 마스크의 창 내의 능동층 상에 투명한 게이트 절연막과 투명한 게이트 전극층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 적층 마스크, 게이트 절연막, 게이트 전극층을 제거하여 상기 기판, 능동층의 패턴을 노출시키는 단계;상기 게이트 전극층과 자기정합하도록, 상기 능동층의 패턴 상에 투명한 소스/드레인 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 적층 마스크의 창의 하측부의 폭이 상기 창의 상측부의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 적층 마스크를 감광막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 능동층을, 산화아연(ZnO)과, 산화아연(ZnO)을 기본으로 하는 화합물 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.