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선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관

  • 기술번호 : KST2015213201
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관을 제공한다. 탄소계 재질을 사용하는 평면형태의 한 개의 전자빔 방출원이나 또는 이들이 복수 개로 형성되어 있는 어레이형(array type)의 전자빔 방출원 구조로 형성된 X-선관은 전자빔 방출원이 형성되어 있으며, 전자빔 방출원을 통해 전자빔을 발생시키는 음극부, 전자빔이 발생되도록 전자의 방출을 유도하는 게이트 전극부, 방출된 전자의 집속을 유도하는 집속 전극부 및 게이트 전극부와 집속 전극부 사이에 배치되며, 서로 다른 방향으로 전자빔을 집속시키는 전자빔 통과공이 형성되어 있는 적어도 두 개의 사중극 전극이 배치되어 선형 전자빔을 생성하는 사중극 전극부를 포함하며, 적어도 두 개의 사중극 전극은 서로 동일한 형태의 전자빔 통과공이 서로 직교하는 제1 방향과 제2 방향으로 형성되어 있으며, 소정의 간격으로 교차하여 배치된다.
Int. CL H01J 29/50 (2006.01.01) H01J 37/067 (2006.01.01)
CPC H01J 29/503(2013.01) H01J 29/503(2013.01) H01J 29/503(2013.01) H01J 29/503(2013.01) H01J 29/503(2013.01) H01J 29/503(2013.01)
출원번호/일자 1020110106083 (2011.10.17)
출원인 선문대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1275149-0000 (2013.06.10)
공개번호/일자 10-2013-0041674 (2013.04.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 발송
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 선문대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오태식 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 선문대학교 산학협력단 충청남도 아산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0810559-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0066227-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0772282-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0154211-91
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0154213-82
7 등록결정서
Decision to grant
2013.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0392302-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.26 수리 (Accepted) 4-1-2019-5169188-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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탄소계 재질을 사용하는 평면형태의 한 개의 전자빔 방출원이나 또는 이들이 복수 개로 형성되어 있는 어레이형(array type)의 전자빔 방출원 구조로 형성된 X-선관에 있어서,상기 전자빔 방출원이 형성되어 있으며, 상기 전자빔 방출원을 통해 전자빔을 발생시키는 음극부;상기 전자빔이 발생되도록 전자의 방출을 유도하는 게이트 전극부;상기 방출된 전자의 집속을 유도하는 집속 전극부;상기 게이트 전극부와 상기 집속 전극부 사이에 배치되며, 서로 다른 방향으로 상기 전자빔을 집속시키는 전자빔 통과공이 형성되어 있는 적어도 두 개의 사중극 전극이 배치되어 선형 전자빔을 생성하는 사중극 전극부; 및상기 집속 전극부를 통과한 상기 선형 전자빔이 형성되는 양극부를 포함하며,상기 양극부는, 투과형이거나 또는 경사형의 타겟면을 갖고,상기 적어도 두 개의 사중극 전극은, 서로 동일한 형태의 전자빔 통과공이 서로 직교하는 제1 방향과 제2 방향으로 형성되어 있으며, 소정의 간격으로 교차하여 배치되고,상기 사중극 전극부가 상기 게이트 전극부와 상기 집속 전극부 사이에 배치됨으로써 상기 음극부에서 양극부까지의 거리 변화 및 상기 양극부에 인가되는 전압 변화에 대응하여 상기 양극부에 집속되는 전자빔이 최소 면적을 갖는 크기가 되도록 집속되는 선형의 전자빔 형상을 제공할 수 있는 것을 특징으로 하는 선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관
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삭제
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청구항 1에 있어서,상기 사중극 전극부의 전자빔 통과공은,키홀(key hole) 형태, 타원 형태, 직사각형 형태, 다각형 형태 및 피넛(peanut) 형태 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관
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청구항 1에 있어서,상기 제1 방향으로 전자빔 통과공이 형성된 사중극 전극이 상기 게이트 전극부에 인접하여 배치되고, 상기 제2 방향으로 전자빔 통과공이 형성된 사중극 전극이 상기 집속 전극부에 인접하여 배치되는 경우, 상기 사중극 전극부를 통과하면서 형성된 선형 전자빔은 상기 제1 방향으로 형성되어지는 것을 특징으로 하는 선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관
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청구항 1에 있어서,상기 제2 방향으로 전자빔 통과공이 형성된 사중극 전극이 상기 게이트 전극부에 인접하여 배치되고, 상기 제1 방향으로 전자빔 통과공이 형성된 사중극 전극이 상기 집속 전극부에 인접하여 배치되는 경우, 상기 사중극 전극부를 통과하면서 형성된 선형 전자빔은 상기 제2 방향으로 형성되어지는 것을 특징으로 하는 선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관
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청구항 1에 있어서,상기 전자빔 방출원은,카본나노튜브(carbon nanotube, CNT) 또는 그라펜(graphene) 또는 DLC(diamond like carbon)와 같은 탄소계 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관
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청구항 1에 있어서,상기 집속 전극부는,상기 사중극 전극부에 인접하여 배치되며, 인접한 사중극 전극부에 인가되는 전압보다 낮은 제1 집속 전압이 인가되는 제1 집속 전극; 및상기 양극부에 인접하여 배치되며, 제1 전압보다 높은 제2 집속 전압이 인가되는 제2 집속 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관
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청구항 7에 있어서,상기 집속 전극부는,상기 제1 집속 전극의 전자빔 통과공은 원형이나 타원형의 대구경으로 형성되어지며, 상기 제2 집속 전극의 전자빔 통과공은 상기 제1 집속 전극의 전자빔 통과공 보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관
9 9
청구항 1에 있어서,상기 제1 방향으로 전자빔 통과공이 형성된 사중극 전극이 상기 게이트 전극부에 인접하여 배치되고, 상기 제2 방향으로 전자빔 통과공이 형성된 사중극 전극이 상기 집속 전극부에 인접하여 배치되는 경우, 상기 집속 전극부를 통과하면서 형성된 선형 전자빔은,상기 제2 방향으로 선 집속되는 것을 특징으로 하는 선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관
10 10
청구항 1에 있어서,상기 제2 방향으로 전자빔 통과공이 형성된 사중극 전극이 상기 게이트 전극부에 인접하여 배치되고, 상기 제1 방향으로 전자빔 통과공이 형성된 사중극 전극이 상기 집속 전극부에 인접하여 배치되는 경우, 상기 집속 전극부를 통과하면서 형성된 선형 전자빔은,상기 제1 방향으로 선 집속되는 것을 특징으로 하는 선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관
11 11
청구항 1에 있어서,상기 제1 방향은 횡방향이며, 상기 제2 방향은 종방향인 것을 특징으로 하는 선 집속된 전자빔 스포트를 형성하는 X-선관
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