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대전력 정전류 다이오드

  • 기술번호 : KST2015213237
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판상에 형성된, 소정의 정전류 다이오드 용량을 갖는 복수개의 다이오드 소자; 상기 다이오드 소자가 상기 기판상의 행, 또는 열, 또는 행과 열에 주기적으로 배열된 어레이; 및 상기 어레이의 열과 행 사이에 공통으로 형성된 음극 전극;을 포함하며, 상기 음극 전극은 각각의 정전류 다이오드의 음극(캐소드)과 연결되는 것을 특징으로 하는 정전류 다이오드 어레이 기판 및 이의 제조방법을 제공하며, 본 발명에 의해 대용량 발광다이오드를 사용하는 경우 종래의 관련 제품의 최대의 문제인 전기 발열, 화재, 안전문제를 해결하는 것은 물론, 전압의 리플 변동에 따르는 정전류 문제를 해결함과 동시에 고가격 혹은 고비용의 문제를 해결 할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 27/08 (2006.01.01) H01L 29/861 (2006.01.01) H01L 25/07 (2006.01.01)
CPC H01L 27/0814(2013.01) H01L 27/0814(2013.01) H01L 27/0814(2013.01)
출원번호/일자 1020120060201 (2012.06.05)
출원인 선문대학교 산학협력단, (주) 텔트론, 주식회사 라이트전자
등록번호/일자 10-1370984-0000 (2014.02.28)
공개번호/일자 10-2013-0136646 (2013.12.13) 문서열기
공고번호/일자 (20140307) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 선문대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시
2 (주) 텔트론 대한민국 대전광역시 유성구
3 주식회사 라이트전자 대한민국 서울특별시 금천구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유순재 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 맹성재 대한민국 대전광역시 서구 청사로 *** (둔산동) 수협빌딩 *층(RnD특허법률사무소)
2 이시근 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, ***호(역삼동, 평화빌딩)(특허법인공간(서울분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 선문대학교 산학협력단 충청남도 아산시
2 (주) 텔트론 대전광역시 유성구
3 주식회사 라이트전자 서울특별시 금천구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0447878-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5121692-17
3 보정요구서
Request for Amendment
2012.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0070565-48
4 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0488786-75
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0489687-21
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.06.20 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2012-0488581-12
7 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2012.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0077990-47
8 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2012.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0096440-48
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0016679-94
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0333650-66
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0634072-66
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0739876-31
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0739877-87
15 등록결정서
Decision to grant
2013.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0747805-90
16 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2014.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0106134-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-0077777-52
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5093954-41
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.26 수리 (Accepted) 4-1-2019-5169188-72
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번호 청구항
1 1
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3 3
반도체 기판상에 형성된 소정의 정전류 용량을 갖는 복수의 단위 다이오드 소자;상기 복수의 단위 다이오드 소자가 상기 기판상에 행 또는 열 또는 행렬로 배열된 어레이;상기 어레이의 열 또는 행에 주기적인 셀 단위로 이격되어 형성된 와이어 본딩 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전류 다이오드에 있어서,상기 단위 다이오드의 길이 또는 면적을 가변하여 와이어 본딩 패드 주변에 배치하고,상기 단위 다이오드는 누설전류를 방지하고 전기장의 분포를 조절하여 항복전압을 높일 수 있는 가드링(guard ring)이 부가되고,상기 주기적인 셀 단위는 3배수 간격인 것을 특징으로 하는 정전류 다이오드
4 4
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5 5
대전력 정전류 다이오드 제조방법에 있어서,반도체 기판상에 형성된 소정의 정전류 다이오드 용량을 갖는 복수의 단위 다이오드 소자를 행 또는 열로 배열하여 반도체 제조공정으로 제조하는 단계;상기 단위 다이오드 소자를 조합하여 소요되는 정전류 용량을 충족하는 블록을 선택하는 단계;선택된 블록을 절단하고 분리하여 다이오드 칩으로 만드는 단계 및다이오드 패키지에 실장하여 다이오드 소자의 드레인은 패키지의 양극 패드에 와이어 본딩으로 연결하고, 게이트-소오스는 패키지에 다이 본딩하고 음극으로 연결하는 패키지 단계를 포함하되,상기 패키지 단계는 상기 와이어 본딩 패드와 그 주변의 단위 다이오드 소자를 와이어 본딩으로 연결하고, 상기 와이어 본딩 패드와 패키지의 패드를 와이어 본딩으로 연결하는 것을 특징으로 하는 대전력 정전류 다이오드 제조방법
6 6
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7 7
제5항에 있어서,상기 와이어 본딩 패드 주변의 단위 다이오드는 길이 또는 면적이 가변되어 배치되는 것을 특징으로 하는 대전력 정전류 다이오드 제조방법
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9 9
제5항에 있어서,어레이의 열 또는 행에 주기적인 셀 단위로 이격되어 단위 다이오드 소자 대신에 와이어 본딩 패드를 형성하는 것을 특징으로 하는 대전력 정전류 다이오드 제조방법
10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.