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전계 전자 방출 원리를 이용하여 전자를 방출시키는 전자 방출원;상기 전자 방출원으로부터 전자 방출을 유도하여 전자빔이 형성되게 하는 소스 렌즈부;상기 전자빔을 편향시키는 편향부; 및상기 편향부를 통과한 상기 전자빔을 타겟에 집속시키는 집속 렌즈부를 포함하며,상기 소스 렌즈부는 상기 전자 방출원에서의 전자 방출을 유도하는 인출 전극부;상기 인출 전극부에서 방출된 상기 전자를 가속하는 가속 전극부; 및상기 인출 전극부와 상기 가속 전극부 사이에 형성되어, 상기 전자 방출원에서 발생되는 상기 전자빔의 집속력을 조절하기 위해, 동작거리에 따라 전압이 유동적으로 인가되는 제어 전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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청구항 1에 있어서,상기 소스 렌즈부는,상기 가속 전극부에 의하여 가속된 상기 전자에 의한 전자빔의 양과 크기를 제어하는 제한 전극부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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청구항 1에 있어서, 상기 제어 전극부에서 상기 전자빔이 통과하는 제어 전극 통과공의 직경은, 상기 인출 전극부에 형성된 상기 전자빔이 통과하는 인출 전극 통과공의 직경과 같거나 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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청구항 1에 있어서, 상기 편향부는 각각 상기 전자빔을 편향시키는 제 1 서브 편향부 및 제 2 서브 편향부를 포함하는 8중극 정전 2중 편향부(Octupole electrostatic double deflector) 또는 4중극 정전 2중 편향부(Quadrupole electrostatic double deflector)로 구성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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청구항 5에 있어서, 상기 제 1 서브 편향부 및 상기 제 2 서브 편향부는 상기 소스 렌즈부를 통과한 상기 전자빔을 편향시키도록, 상기 소스 렌즈부와 상기 집속 렌즈부의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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청구항 5에 있어서,상기 제 1 서브 편향부는 상기 소스 렌즈부를 통과한 상기 전자빔을 상기 집속 렌즈부의 중심부를 통과하게 조정하거나 상기 전자빔의 형상을 조정하도록 상기 소스 렌즈부와 상기 집속 렌즈부의 사이에 형성되며, 상기 제 2 서브 편향부는 상기 집속 렌즈부를 통과한 상기 전자빔을 편향시키도록 상기 집속 렌즈부와 상기 타겟의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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청구항 1에 있어서,상기 편향부는 상기 소스 렌즈부를 통과한 상기 전자빔을 편향시키도록, 상기 소스 렌즈부와 상기 타겟의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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청구항 1에 있어서, 상기 집속 렌즈부는 복수개의 서브 전극부를 포함하는 아인젤 렌즈(Einzel lens)로 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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청구항 1에 있어서, 상기 제어 전극부는 상기 인출 전극부와 상기 가속 전극부로부터 각각 100 ㎛ 내지 500 ㎛ 범위 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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청구항 1에 있어서, 상기 제어 전극부에는 상기 전자 방출원에 인가되는 전압의 90% 이하의 전압이 유동적으로 인가되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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청구항 1에 있어서,전자 방출원은, 텅스텐(W), 몰리브텐(Mo), 탄화하프늄(HfC), 실리콘(Si), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 그래핀(graphene) 등을 이용하여 구성되어지는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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청구항 1에 있어서,상기 동작거리는 상기 집속 렌즈부의 출구에서부터 상기 타겟까지의 거리인 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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