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a) 플라즈모닉 금속 박막에 집속이온빔 (Focused Ion Beam, FIB)을 이용하여 구멍(aperture)을 형성하는 단계;b) 상기 형성된 구멍을, 투과전자현미경 (Transmission Electron Microscope, TEM)의 비집속 모드(defocusing mode) 또는 주사전자현미경 (Field Emission Scanning Electron Microscope, FESEM)의 전자빔을 이용해 금속 멤브레인(membrane)을 형성하여 막는 단계; 및c) 상기 구멍을 막은 금속 멤브레인(membrane) 상에 투과전자현미경 (TEM)의 집속 모드(focusing mode)를 이용해 플라즈모닉 나노포어(nanopore)를 형성하는 단계; 를 포함하고상기 금속은 금(Au)이고,상기 금속 멤브레인의 두께는 5 ~ 20 nm는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노포어 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 금속 박막은 평판 형상인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노포어 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 집속이온빔을 이용하여 형성된 상기 구멍(aperture)은 직경이 30 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노포어 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 나노포어는 직경이 2 내지 15nm인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노포어 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 나노포어는 금속 박막이 증착된 피라미드형의 사면체 구조 또는 원뿔형 구조 프로브의 정점에 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노포어 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 금속 박막은 실리콘 기판에 증착된 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노포어 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 집속이온빔은 30keV인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노포어 제조 방법
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청구항 1에 있어서,투과전자현미경의 에너지는 100 keV ~ 300 keV 인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노포어 제조 방법
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청구항 1에 있어서,주사전자현미경의 에너지는 0
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(a) 실리콘 웨이퍼의 앞면 및 뒷면에 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 형성하는 단계;(b) 상기 실리콘 웨이퍼의 앞면에 형성된 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 실리콘 산화막과 실리콘 질화막에 포토레지스트(PR)을 이용하여 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 실리콘 웨이퍼의 앞면을 습식 식각을 통해 식각하여 골을 형성하는 단계;(d) 상기 골 표면에 산화막을 형성하는 단계;(e) 상기 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 형성된 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 실리콘 산화막과 실리콘 질화막 및 실리콘 웨이퍼를 식각하여 돌출된 형태의 프로브(probe)를 형성하는 단계;(f) 상기 돌출된 형태의 프로브의 외부 광출력면 표면에 금속 박막을 증착하거나 또는 상기 돌출된 형태의 프로브의 정점에 산성 용액을 사용하여 구멍을 형성한 후 금속 박막을 증착하는 단계; 및(g) 상기 금속 박막을 증착한 후 금속 박막이 증착된 돌출된 형태의 프로브의 정점에 청구항 1의 플라즈모닉 나노포어 제조 방법을 이용하여 플라즈모닉 나노포어를 형성하는 단계를 포함하는 광프로브 제조 방법
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청구항 10에 있어서,돌출된 형태의 프로브(probe)는 피라미드형 또는 원뿔형 구조인 것을 특징으로 하는 광프로브 제조 방법
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청구항 1의 플라즈모닉 나노포어 제조 방법으로 제조된 플라즈모닉 나노포어를 포함하는 플라즈모닉 금속 박막
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청구항 10의 광프로브 제조 방법을 이용하여 제조된 광프로브
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청구항 13의 광프로브를 포함하는 생체분자 분석기
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