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전계 전자 방출 원리를 이용하여 전자를 방출시키는 전자 방출원;상기 전자 방출원에서의 상기 전자 방출을 유도하는 인출 전극부;상기 전자 방출원으로부터 발생하는 전자빔의 집속력을 조절하기 위하여, 동작거리에 따라 전압이 유동적으로 인가되는 집속 전극부;상기 인출 전극부에 의하여 방출된 상기 전자를 가속하는 가속 전극부; 및상기 가속 전극부에 의하여 가속된 상기 전자에 의한 상기 전자빔의 양과 크기를 제어하는 제한 전극부; 및상기 전자빔을 타켓에 편향시키는 편향부;를 포함하되,상기 집속 전극부는 상기 인출 전극부와 상기 가속 전극부 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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제 1항에 있어서,상기 집속 전극부에서 상기 전자빔이 통과하는 집속 전극 통과공의 직경은 상기 인출 전극부에서 상기 전자빔이 통과하는 인출 전극 통과공의 직경과 같거나 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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제 1항에 있어서,상기 집속 전극부는 상기 인출 전극부와 상기 가속 전극부로부터 각각 100 ㎛ 내지 500 ㎛ 범위 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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제 1항에 있어서,상기 동작거리는 상기 편향부의 출구에서부터 상기 타겟까지의 거리인 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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제 1항에 있어서,상기 제한 전극부에서 상기 전자빔이 통과하는 제한 전극 통과공의 직경은 상기 인출 전극부에서 상기 전자빔이 통과하는 인출 전극 통과공의 직경보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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제 1항에 있어서,상기 편향부는 상기 제한 전극부와 상기 타겟 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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제 1항에 있어서,상기 편향부는 4중극 정전(quadrupole electrostatic) 편향부 또는 8중극 정전(octupole electrostatic) 편향부로 구성되는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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제 1항에 있어서,상기 전자 방출원, 인출 전극부, 집속 전극부, 가속 전극부, 제한 전극부 및 편향부가 각각 하나의 실리콘 기판에 복수개 형성하고, 실리콘 기판들을 순차적으로 조립하여 복수개의 전자 광학 컬럼을 형성하는 것을 특징으로 하는 초소형 전자 광학 컬럼
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