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제 1항에 있어서, 상기 a 단계는, 상기 사파이어 기초기판 상에 버퍼층을 형성하고 상기 버퍼층 상에 복수개의 질화물계 반도체층을 형성하는 단계가 되며, 상기 g 단계는 상기 기초기판과 상기 버퍼층을 함께 식각하도록 하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조방법
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제 2항에 있어서, g1
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제 6항에 있어서, 상기 투명전극층은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnB, ZnO, InO, SnO 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 g 단계에서 상기 사파이어 기초기판을 식각하여 완전히 제거하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 오믹전극층은 Pd, Rh, Ta, Ni, Cr, Au, Ti 중의 적어도 하나를 증착하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 유테틱 금속층은 Ti, Al, Rd, Pt, Ta, Ni, Cr, Au, Ag 중의 적어도 하나를 증착하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 제1 유테틱 금속층 및 제2 유테틱 금속층은 200 내지 500 도씨의 온도에서 1 내지 6 MP 의 압력으로 1분 내지 40분간 접착하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 접착단계(f)는 Ar, He, Kr, Xe, Rn 중 어느 하나의 가스 분위기하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 g 단계에서 사파이어 기초기판의 식각은 황산(H2SO4), 인산(H3PO4) 및 알루에치(4H3PO4+4CH3COOH+HNO3+H2O) 중 적어도 하나를 포함하는 식각용액을 사용하여 습식식각 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조방법
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상하로 관통되도록 형성되는 제1 비아홀 및 식각을 통하여 기초기판을 개별 칩별로 분리하기 위한 벽개라인을 포함하는 사파이어 기초기판;상기 기초기판 상에 형성되는 복수개의 질화물계 반도체층;상기 질화물계 반도체층 중 상기 사파이어 기초기판 접촉면의 반대면 일부에형성되고, 상기 사파이어 기초기판 상에 형성되는 제1 비아홀과 동일한 수직선 상에 형성되는 제2 산화막층;상기 질화물계 반도체층 및 상기 제2 산화막층 상에 형성되는 오믹전극층;상기 사파이어 기초기판의 제1 비아홀을 통해 드러나는 상기 질화물계 반도체층 노출면에 형성되는 제1 전극;상기 오믹전극층 상에 형성되고, 상기 제2 산화막층 및 상기 제1 비아홀과 동일한 수직선 상에 상기 오믹전극층의 일부가 노출되도록 형성되는 제2 비아홀을 포함하는 제1 산화막층;상기 제2 비아홀을 통해 상기 오믹전극층과 연결되도록 상기 제1 산화막층 상에 형성되는 제1 유테틱 금속층; 및일면에 제2 전극이 형성되며, 타면에 상기 제1 유테틱 금속층과 접착되는 제2 유테틱 금속층이 형성되는 리셉터 기판;을 포함하는 수직형 발광 다이오드
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제 15항에 있어서, 상기 사파이어 기초기판과 질화물계 반도체층 사이에는 버퍼층이 형성되고, 상기 제1 비아홀은 상기 사파이어 기초기판 및 버퍼층에 걸쳐서 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 15항에 있어서, 상기 사파이어 기초기판과 제 1 비아홀에 걸쳐서 투명전극층이 형성되고, 상기 제 1전극은 상기 투명전극층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 20항에 있어서, 투명전극은 ITO, ZnB, ZnO, InO, SnO 중의 적어도 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 15항 내지 20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 질화물계 반도체층은 Inx(AlyGa1-y)N 질화물계 반도체로 이루어져 있고, x와 y는 1≥x≥0, 1≥y≥0, x+y>0값을 가지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 22항에 있어서, 상기 오믹 전극은 Pd, Rh, Ta, Ni, Cr, Au, Ti 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 22항에 있어서, 상기 제1 및 제2 유테틱 금속은 Ti, Al, Rd, Pt, Ta, Ni, Cr, Au, Ag중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 22항에 있어서, 상기 리셉터 기판은 Si, GaAs, InP, InAs 의 도전형 반도체 기판, ITO, ZrB, ZnO 의 전도성 도전막, CuW, Mo, Au, Al, Cu 의 금속 중의 적어도 하나를 포함한 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 22항에 있어서, 상기 리셉터 기판은 p형 실리콘 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 26항에 있어서, 상기 제 2 유테틱 금속은 Ti, Au, Ni, Pt중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 22항에 있어서, 제 1 전극은 Al, Pt, Ta, Ni, Cr, Au, Ti 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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