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기판의 상부에 형성되며 p형 GaN으로 이루어진 하부층,상기 하부층의 상부에 형성되며 GaN으로 이루어진 활성층,상기 활성층의 상부에 적어도 n형 GaN층을 포함하여 이루어진 상부층 및상기 상부층 상부에 형성되는 도전성 산화박막층을 포함하여 구성되고,상기 도전성 산화박막은 (질화갈륨계 소자에서 생성되는 파장)×(2n-1)/4ntco 의 두께로 이루어지며, 상기 n은 자연수이고, 상기 ntco 는 도전성 산화박막의 굴절계수인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 상부층을 구성하는 n형 GaN층은 상부 표면이 식각공정을 통해 평탄화 또는 러프니스(roughness)가 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 상부층은 상기 n형 GaN층 상에 형성되고 GaN로 이루어진 버퍼층을 더 포함하여 구성되고, 상기 버퍼층은 상부 표면이 식각공정을 통해 평탄화 또는 러프니스가 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드
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제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 러프니스는 구형, 반구형, 육각뿔형, 마이크로 렌즈 배열 형태 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드
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제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 산화박막은 인듐-주석계 산화물(ITO), 인듐 산화물(IO), 주석계 산화물(SnO2), 아연계 산화물(ZnO) 또는 인듐-아연계 산화물(IZO)중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드
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제 1항에 있어서,상기 도전성 산화박막은 상기 산화물중 서로 다른 산화물이 적층된 다층구조를 형성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드
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제 7항에 있어서, 상기 도전성 산화박막은 상부 또는 하부에 금속산화물 또는 금속층이 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드
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활성층과, 이 활성층의 상부에 형성된 n형 GaN으로 된 상부층과, 상기 활성층의 하부에 형성된 p형 GaN으로 된 하부층과, 상기 하부층의 하부에 순차 적층형성된 금속접촉층과 전극층을 포함하는 자립형 웨이퍼를 얻는 제1단계와상기 n형 GaN으로 된 상부층 상에 도전성 산화박막층을 형성하는 제2단계를 포함하여 이루어지고,상기 도전성 산화박막은 (질화갈륨계 소자에서 생성되는 파장)×(2n-1)/4ntco 의 두께로 이루어지며, 상기 n은 자연수이고, 상기 ntco 는 도전성 산화박막의 굴절계수인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 제1단계는, 사파이어 기판상에 GaN로 이루어진 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 GaN 버퍼층 상에 n형 GaN로 된 상부층을 형성하는 단계; 상기 상부층 상에 상기 활성층, 상기 하부층, 상기 금속접촉층 및 전극층을 순차 형성하는 단계; 상기 사파이어기판을 분리 제거하고 상기 전극층을 지지대로 하는 자립형 웨이퍼를 얻는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 사바이어기판의 분리제거시에 상기 버퍼층을 제거하고, 상기 상부층의 상부면을 식각공정에 의해 일부 평탄화하거나 또는 러프니스를 형성하는 단계를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 사바이어기판의 분리제거시에 상기 버퍼층을 잔존시키고, 상기 버퍼층의 상부면을 식각공정에 의해 일부 평탄화하거나 또는 러프니스를 형성하는 단계를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 러프니스 형성은 UV 램프를 사용하여 자외선을 조사하면서 KOH용액을 이용한 습식식각공정을 이용하여 육각뿔 형태를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 러프니스 형성은 포토레지스터를 이용한 건식식각공정을 이용하여 마이크로렌즈 배열 형태를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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제 9항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부층의 상부에 상기 도전성 산화박막층을 형성하는 방법에는 전자빔 증착법, 스퍼터법 또는 산소 이온빔 보조된 전자빔 증착법 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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제 15항에 있어서, 상기 전자빔 증착법은 상기 도전성 산화박막 증착 후 250℃이상 700℃이하의 온도에서 열처리 하는 과정을 포함한 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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제 15항에 있어서, 상기 스퍼터법은 상기 도전성 산화박막 증착 후 상온이상 450℃이하의 온도에서 열처리 하는 과정을 포함한 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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