맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

태양전지 ＤＬＣ 반사 방지막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015214441
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘을 기판으로 하는 태양전지의 표면상에 비정질 물질인 다이아몬드상 카본(Diamond-Like Carbon; DLC) 박막층을 마이크로웨이브 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)법 또는 RF-PECVD 증착법을 이용하여 증착시킴으로서 태양전지의 반사 방지막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 태양전지 DLC 반사 방지막은 실리콘계 태양전지의 표면 반사율을 줄여서 단락 전류밀도를 향상시키는 효과를 얻음과 동시에 변환 효율 향상을 기대할 수 있으며, DLC 박막의 고유특성인 단단함 때문에 실리콘 표면을 패시베이션 함으로써, 표면 재결합 속도를 낮추어 소수 반송자의 수명을 연장시켜 변환효율 향상효과를 기대할 수 있다. 그리고, 비교적 간단한 제조 공정과 낮은 가격으로 효율을 올릴 수 있기 때문에 태양전지의 광범위한 실용화에도 기여할 수 있으며, 태양전지 외에 저반사율이 필수적인 기타 광학 기기에도 응용이 가능하다. 태양전지, 반사 방지막, DLC 박막, 수소(H2), 메탄(CH4)가스, PECVD 증착법
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자 1020040066358 (2004.08.23)
출원인 학교법인 성균관대학
등록번호/일자 10-0629750-0000 (2006.09.22)
공개번호/일자 10-2006-0018033 (2006.02.28) 문서열기
공고번호/일자 (20060929) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.08.23)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 학교법인 성균관대학 대한민국 서울 종로구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍병유 대한민국 서울특별시 강남구
2 이준신 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 최원석 대한민국 서울특별시 노원구
4 전영숙 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
5 임동건 대한민국 경기도 수원시 장안구
6 김경해 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0376469-92
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2004.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-5137096-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0075286-05
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0137748-57
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0319847-46
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0402470-63
8 의견서
Written Opinion		 2006.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0402267-01
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0548206-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘을 기판으로 하는 태양전지의 표면상에 마이크로웨이브 PECVD법 또는 RF-PECVD 증착법으로, 상온 내지 200℃ 온도 범위에서 수소(H2) 가스와 메탄(CH4) 가스를 이용하여 비정질의 DLC 박막층을 형성하여, 반사방지막 및 패시베이션층으로 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지 DLC 반사 방지막의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.