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다층산화물 인공격자를 갖는 소자

  • 기술번호 : KST2015214488
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다층산화물 인공격자를 갖는 소자에 대해 개시한다. 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 도포되어 선택적으로 패터닝되는 유전체박막과, 상기 유전체박막 상에 적층 및 패터닝된 상부전극으로 이루어진 소자 혹은 기판과, 상기 기판 상에 적층되며 선택적으로 패터닝되는 하부전극과, 상기 하부전극 상부에 도포되어 선택적으로 패터닝되는 유전체박막과, 상기 유전체박막 상에 적층 및 패터닝된 상부전극으로 이루어진 소자에 적용되는데, 상기 유전체박막은 단위격자두께(∼0.4 ㎚)로 증착을 수행하는데, 서로 다른 유전상수를 갖는 적어도 2개 이상의 유전체물질을 단위격자두께(∼0.4 ㎚) 내지 20 ㎚ 범위 내에서 적어도 1회 이상 반복 적층하거나 응용 소자에 맞게끔 특정 배열로 적층하여서 이루어진 동일 방위성을 갖는 하나의 인공격자를 형성한 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 단위격자두께의 유전체 계면에서의 응력을 이용하여 유전율 및 가변성을 향상시킴으로써 고속스위칭 반도체 소자, 고주파 응답 통신소자 등에 이용할 수 있다. 또한, 고유전율에 의한 콤팩트화 및 저전압 구동이 가능하다. 산화물 인공격자, 가변 전압 소자, DRAM, 유전율
Int. CL H01L 27/105 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020009767 (2002.02.23)
출원인 학교법인 성균관대학
등록번호/일자 10-0469750-0000 (2005.01.25)
공개번호/일자 10-2003-0070295 (2003.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20050202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.02.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 성균관대학 대한민국 서울 종로구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재찬 대한민국 서울특별시 종로구
2 김주호 대한민국 서울특별시 종로구
3 김이준 대한민국 서울특별시 종로구
4 김용성 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)
2 윤여표 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길 *, ***호(방배동,정암빌딩)(웰컨설팅(분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0054422-14
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2002-0072564-11
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2004.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2004-5016522-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0067586-13
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2004-0160949-41
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0217424-19
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0275687-47
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0325778-11
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0377938-72
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0434263-33
11 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0477926-47
12 의견서
Written Opinion		 2004.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2004-0477922-65
13 등록결정서
Decision to grant		 2005.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0024168-24
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번호 청구항
1 1

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2 2

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3 3

기판과, 상기 기판 상에 적층되며 패터닝되는 하부전극과, 상기 하부전극 상부에 도포되어 패터닝되며 페로브스카이트 구조를 가지는 BaTiO3, SrTiO3, KNbO3, KTaO3, PbTiO3, PbZrO3, CaTiO3 에서 선택된 어느 하나인 유전체박막과, 상기 유전체박막 상에 적층되어 패터닝된 상부전극으로 이루어진 다층산화물 인공격자를 갖는 소자에 있어서,

서로 다른 유전상수를 갖는 유전체박막 2개를 2층씩 적층하여 전체적으로 4개의 단위격자로 이루어지는 단위격자를 이루고, 이 단위격자를 1회 이상 적층배열하여서 이루어진 동일 방위성을 갖는 하나의 인공격자를 형성한 것을 특징으로 하는 다층산화물 인공격자를 갖는 소자

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 기판과 유전체박막은 동일한 방위성을 갖는 결정 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 다층산화물 인공격자를 갖는 소자

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8 8

제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 서로 다른 유전상수를 갖는 유전체박막 2개는 BaTiO3와 SrTiO3로 이루어지며, BaTiO3은 1

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제 8 항에 있어서, 상기 인공격자는 DRAM의 커패시터인 것을 특징으로 하는 다층산화물 인공격자를 갖는 소자

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제 8 항에 있어서, 상기 인공격자는 전압에 따라 유전율이 변화하는 마이크로웨이브 튜너블 디바이스의 캐패시터인 것을 특징으로 하는 다층산화물 인공격자를 갖는 소자

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12 12

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13 13

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1 DE10219651 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 JP2003257965 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP3620838 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2003160329 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US6747357 US 미국 DOCDBFAMILY
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