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도체로 된 전극봉으로 되어 있는 제1 전극;상기 제1 전극의 외측으로 소정의 공간을 형성하고 유전 물질로 이루어진 유전체 관;상기 유전체 관의 외벽에 전도성 금속 테이프로 이루어진 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 유전체 관 사이의 반응 공간의 내부로 유입 기체를 투입되도록 하는 기체 유입구가 형성되어 있는 플라즈마 건을 포함하며,상기 플라즈마 건은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 전압이 인가되면, 상기 반응 공간에 형성된 플라즈마 방전―상기 플라즈마 방전은 상기 반응 공간의 오폐수가 없는 영역에서 기체 방전을, 상기 반응 공간의 오폐수가 있는 영역에서 액체 방전을 포함함―에 의해 화학적 활성종들이 발생하여 오폐수를 정화하는 것을 특징으로 하는 수처리 장치
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 건은 복수개로 구성되어 오폐수가 저장된 반응조에 잠겨있고, 상기 각각의 플라즈마 건은 별도의 전원 공급 장치가 있는 것을 특징으로 하는 수처리 장치
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제1항에 있어서,상기 기체 방전과 상기 액체 방전의 비율은 상기 각각의 플라즈마 건으로 공급되는 유입 기체의 유속을 제어하여 조절하는 것을 특징으로 하는 수처리 장치
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 건은 상기 오폐수의 오염 물질 농도가 높은 경우, 상기 플라즈마 건의 개수를 기설정된 임계치 이상으로 증가시키고, 오염 물질 농도가 낮은 경우, 상기 플라즈마 건의 개수를 기설정된 임계치 이하로 감소시키는 것을 특징으로 하는 수처리 장치
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유입 기체는 악취 성분이 포함된 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 수처리 장치
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오폐수를 정화하는 수처리 장치에서의 플라즈마 건을 이용한 수처리 방법에 있어서, 상기 수처리 장치는,도체로 된 전극봉인 제1 전극과 상기 제1 전극의 좌우측으로 소정의 공간을 둔 유전 물질이 형성되고 상기 형성된 유전 물질의 외벽에 전도성 금속 테이프로 이루어진 제2 전극이 형성된 플라즈마 건을 오폐수가 저장된 반응조에 담가두는 단계;상기 제1 전극과 상기 유전 물질 사이에 형성된 반응 공간으로 유입 기체를 공급받는 단계;상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 전압을 인가하여 상기 제1 전극과 상기 유전 물질 사이에 플라즈마 방전을 형성하는 단계; 및상기 플라즈마 방전에 의해 화학적 활성종들을 생성하여 오폐수를 정화하는 단계를 포함하며,상기 플라즈마 방전은 상기 반응 공간의 오폐수가 없는 영역에서 기체 방전을, 상기 반응 공간의 오폐수가 있는 영역에서 액체 방전이 이루어지는 것을 특징으로 하는 수처리 방법
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제6항에 있어서,상기 플라즈마 건은 복수개로 구성되고, 상기 각각의 플라즈마 건은 별도의 전원 공급 장치가 있는 것을 특징으로 하는 수처리 방법
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제6항에 있어서,상기 유입 기체의 유입되는 유속을 제어하여 상기 기체 방전과 상기 액체 방전의 비율을 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수처리 방법
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오폐수를 정화하는 플라즈마 건을 이용한 수처리 장치에 있어서,오폐수에 저장된 반응조에 담겨있는 복수개의 플라즈마 건의 각 기체 유입구를 제어하여 유입 기체의 공급량을 조절하는 가스 공급량 제어부;각각의 플라즈마 건에 설치된 전원 공급 장치를 제어하여 각 플라즈마 건―상기 각 플라즈마 건은 도체로 된 제1 전극과 상기 제1 전극의 좌우측으로 소정의 공간을 둔 유전 물질과 상기 유전 물질의 외벽에 전도성 금속 테이프로 이루어진 제2 전극으로 구성됨―의 전압의 세기를 조절하는 전압 조절부; 및상기 가스 공급량 제어부를 제어하여 상기 제1 전극과 상기 유전 물질 사이에 형성된 반응 공간으로 유입 기체를 공급받고, 상기 전압 조절부를 제어하여 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 전압을 인가하여 상기 제1 전극과 상기 유전 물질 사이에 기체 방전과 액체 방전을 형성하며, 상기 기체 방전과 액체 방전에 의해 화학적 활성종들을 생성하여 오폐수를 정화하는 정화 공정 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 수처리 장치
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제9항에 있어서,상기 가스 공급량 제어부는 상기 유입 기체의 유속을 제어하여 상기 기체 방전과 액체 방전의 비율을 조절하는 것을 특징으로 하는 수처리 장치
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제9항에 있어서,상기 정화 공정 처리부는 상기 가스 공급량 제어부를 제어하여 상기 각각의 플라즈마 건마다 상기 유입 기체의 공급량을 다르게 하고, 상기 전압 조절부를 제어하여 상기 각각의 플라즈마 건마다 전압의 세기를 다르게 하여 상기 기체 방전과 액체 방전의 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는 수처리 장치
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