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발광소자

  • 기술번호 : KST2015214865
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층; 양자우물과 양자벽을 포함하여 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층;을 포함하며, 상기 활성층은 InxGa1-xN 양자벽(0<x<1); 및 상기 InxGa1-xN 양자벽 상에 InyAlzGa(1-y-z)N 양자우물(단, 0.2<y<0.35, 0.05<z<0.3, 0<y+z<1);을 포함한다.
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020110081342 (2011.08.16)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 대구가톨릭대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1916032-0000 (2018.11.01)
공개번호/일자 10-2013-0019275 (2013.02.26) 문서열기
공고번호/일자 (20181109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.02)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 대구가톨릭대학교산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한대섭 대한민국 서울특별시 중구
2 문용태 대한민국 서울특별시 중구
3 박승환 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
2 대구가톨릭대학교산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0632382-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5163959-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021671-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022169-74
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0031579-97
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0556552-31
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0752777-84
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2017-5092925-63
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2017-5096067-97
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0122854-07
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0577229-51
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1038233-79
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1038234-14
17 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0141122-51
18 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.04.03 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2018-0329167-12
19 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2018.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0052823-29
20 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2018.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0348048-77
21 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2018.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0055208-85
22 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0358095-92
23 보정요구서
Request for Amendment
2018.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0056895-99
24 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0370652-06
25 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0420341-18
26 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0420342-64
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
28 등록결정서
Decision to grant
2018.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0589565-47
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5181935-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형 반도체층;상기 제1도전형 반도체층 상에 50nm 내지 200nm의 두께인 전류확산층;상기 전류확산층 상에 InyAlxGa(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1) 및 GaN을 포함하는 스트레인 제어층;상기 스트레인 제어층 상에 배치되며 양자우물과 양자벽을 포함하 활성층;상기 활성층 상에 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1)계 반도체로 형성되며 100Å 내지 600Å의 두께인 전자차단층; 및상기 전자차단층 상에 제2도전형 반도체층을 포함하고,상기 활성층은,InxGa1-xN 양자벽(0<x<1); 및상기 InxGa1-xN 양자벽 상에 InyAlzGa(1-y-z)N 양자우물(단, 0
2 2
삭제
3 3
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4 4
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5 5
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6 6
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7 7
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.