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톱형 층을 갖는 고효율 블루(blue) InGaN/GaN 양자 우물 LED

  • 기술번호 : KST2015214883
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 톱형 층을 갖는 고효율 블루(blue) InGaN/GaN 양자 우물 LED에 관한 것으로, 톱형 InGaN/GaN 양자 우물(QW) LED 의 발광 특성은 다중대역 유효 질량 이론을 사용하여 조사하고, 톱형 양자 우물(QW) 구조의 자발적인 방출 피크는 매트릭스 요소가 톱형 층의 포함이 향상되기 때문에 기존 양자 우물(QW) 구조에 비해 개선되며, 또한, 톱형 양자 우물(QW) 구조의 경우, 우물 내에서 압전 및 자발 분극으로 인해 내부 필드 효과가 감소되기 때문에 전이 에너지는 캐리어 밀도의 약한 함수로 되어 내장된 전기장 효과를 줄일 수 있고, 비 (0001) 방향성을 갖는 기판을 사용하는 방법이나, 극박의 In 이 풍부한 InGaN 우물을 사용하는 방법, 두꺼운 InGaN 우물 내로 AlGaNδ-층을 주입하는 방법 및 4기(基)로 된 AlInGaN 장벽을 사용하는 방법을 채용하여 내부 전계효과를 줄이며, 3층 엇갈린 양자 우물(QW) 구조의 제조와 유사한 방법에 의해 비정방(非正方) 양자 우물(QW) 구조의 고효율을 달성하는 각별한 장점이 있는 유용한 발명이다.
Int. CL H01L 33/04 (2010.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020120110608 (2012.10.05)
출원인 대구가톨릭대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1462238-0000 (2014.11.10)
공개번호/일자 10-2014-0044529 (2014.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20141204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.05)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 대구가톨릭대학교산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박승환 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대구가톨릭대학교산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0807950-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0041486-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0608721-82
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0988010-04
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0988055-47
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021671-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022169-74
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0224529-50
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0523097-61
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0523098-17
12 등록결정서
Decision to grant
2014.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0741777-04
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0031579-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2017-5092925-63
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2017-5096067-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5181935-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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LED 는 N2D = 10 × 1012㎝-2 시트 캐리어 밀도에서 440nm 의 전이파장을 가지고, 기존의 InGaN/GaN 양자 우물 LED 보다 큰 광 매트릭스 요소 크기를 가져 광발광이 증가되는 LED에 있어서;상기 양자 우물(QW) 내의 왼쪽에서 오른쪽으로 이동하면서 각각 1
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국가 R&D 정보가 없습니다.