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발광소자

  • 기술번호 : KST2015214985
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층; 제2 도전형 반도체층; 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 양자우물과 양자벽을 구비하는 활성층을 포함하고, 상기 양자우물의 에너지 밴드갭은 상기 양자우물의 중심부분으로 갈수록 포물선형(parabolic)으로 변할 수 있다.
Int. CL H01L 33/04 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020110081343 (2011.08.16)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 대구가톨릭대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0019276 (2013.02.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.09)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 대구가톨릭대학교산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문용태 대한민국 서울특별시 중구
2 박승환 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동 현죽빌딩)(한미르특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0632384-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5163959-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021671-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022169-74
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0031579-97
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0556552-31
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0771594-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2017-5092925-63
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2017-5096067-97
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0120105-82
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0562777-19
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0978330-68
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0978329-11
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0144191-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5181935-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형 반도체층;제2 도전형 반도체층; 및상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 양자우물과 양자벽을 구비하는 활성층을 포함하고,상기 양자우물의 에너지 밴드갭은,상기 양자우물의 중심부분으로 갈수록 포물선형(parabolic)으로 변하는 발광소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 양자우물의 에너지 밴드갭은,상기 양자우물의 중심부분으로 갈수록 에너지 밴드갭이 점진적으로 작아진 후 중심부분에서 멀어질수록 에너지 밴드갭이 점진적으로 커지는 발광소자
3 3
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 양자우물은 InxGa1-xN(단, 0〈x〈1)를 포함하며,상기 인듐(In)의 조성은 상기 양자우물의 중심부분으로 갈수록 증가하고, 상기 양자우물의 중심부분으로부터 멀어질수록 감소하는 발광소자
4 4
지지기판; 및상기 지지기판 상에 배치되는 발광구조물;을 포함하고, 상기 발광구조물은 양자우물과 양자벽을 구비하는 활성층을 포함하고,상기 양자우물은 인듐(In)을 포함하고, 상기 인듐 조성은 상기 양자벽에 가까워질수록 비선형적으로 감소하는 발광소자
5 5
제2 항 또는 제4 항에 있어서,상기 양자우물은 소정의 두께를 가지며, 상기 소정의 두께의 1/2부분에서 상기 인듐의 함량이 가장 많은 발광소자
6 6
제2 항 또는 제4 항에 있어서,상기 양자우물은 InxGa1-xN(단, 0 ≤ x ≤ 1)를 포함하며, 상기 인듐의 조성은 0 내지 0
7 7
제6 항에 있어서,상기 활성층의 발광 파장이 400~500nm이면서, 상기 양자우물의 중심부분의 인듐(In)의 조성은 0
8 8
제1 항 또는 제4 항에 있어서,상기 활성층은 상기 양자우물과 상기 양자벽이 반복 적층되며,상기 양자우물은 인듐을 포함하고, 상기 인듐의 조성은 비선형적으로 증가 및 감소를 반복하는 발광소자
9 9
제1 항 또는 제4 항에 있어서,상기 활성층은 상기 양자우물과 상기 양자벽이 반복 적층되며,상기 양자우물은 알루미늄(Al)을 포함하며, 상기 알루미늄의 조성은 비선형적으로 증가 및 감소를 반복하는 발광소자
10 10
제1 항 또는 제4 항에 있어서,상기 양자우물의 에너지 밴드갭은 상기 양자우물의 중심부분과 가까워질수록 에너지 밴드갭이 비선형적으로 작아지는 발광소자
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08536557 US 미국 FAMILY
2 US20120126202 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012126202 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8536557 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.