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원격 플라즈마 원자층 증착법(RPALD)을 사용하여 산화알루미늄(Al2O3)을 반도체 웨이퍼 상에 저온 증착하여 1~100nm의 박막 절연층을 형성한 후, 스크린프린팅 방식으로 상기 절연층 상에 알루미늄을 사용하여 금속성 핑거를 형성하고, 상기 금속성 핑거 상에 반사방지막으로 SiNx층을 형성하며, 상기 반도체 웨이퍼 저면에 패시베이션(Passivation)막을 형성하고, 상기 패시베이션막 상에 스크린프린팅 방식으로 알루미늄 금속전극을 형성한 후, 상기 금속성 핑거 및 상기 금속전극을 동시에 열처리(co-firing)하는 것을 특징으로 하는 스크린프린팅 방식 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 패시베이션막은,Al2O3막, Si3N4막, SiO2막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스크린프린팅 방식 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 절연층을 형성하기 전에, 상기 반도체 웨이퍼를 텍스처링(Texturing)하는 것을 특징으로 하는 스크린프린팅 방식 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조방법
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원격 플라즈마 원자층 증착법(RPALD)을 사용하여 산화알루미늄(Al2O3)을 반도체 웨이퍼 상에 저온 증착하여 1~100nm의 박막 절연층을 형성한 후, 반사방지막으로 SiNx층을 형성하고, 상기 반사방지막 상에 스크린프린팅 방식으로 상기 절연층 상에 알루미늄을 사용하여 금속성 핑거를 형성하며, 상기 반도체 웨이퍼 저면에 패시베이션(Passivation)막을 형성하고, 상기 패시베이션막 상에 스크린프린팅 방식으로 알루미늄 금속전극을 형성한 후, 상기 금속성 핑거 및 상기 금속전극을 동시에 열처리(co-firing)하는 것을 특징으로 하는 스크린프린팅 방식 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조 방법
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제 4항에 있어서, 상기 절연층을 형성하기 전에, 상기 반도체 웨이퍼를 텍스처링(Texturing)하는 것을 특징으로 하는 스크린프린팅 방식 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 패시베이션막은,Al2O3막, Si3N4막, SiO2막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스크린프린팅 방식 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조방법
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