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스크린 인쇄법을 이용한 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015215605
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 p-Si(0.1-10 Ω·㎝) 기판 위에 기계적 특성이 뛰어나고 가시광선 영역에서 광학적 특성이 우수한 산화알루미늄(Al2O3, 1㎚)박막을 RPALD을 이용하여 증착하고, 전면 전극으로 Ag, 후면 전극 Al 페이스트를 스크린 인쇄법으로 인쇄한 뒤, RTA장치로 열처리 하여 MIS 태양전지를 제조함으로써, 전극을 형성하는데 있어서 진공증착법보다 공정이 간편하고 저가의 대량생산에 용이한 장점을 가진 스크린 인쇄법을 이용한 MIS 태양전지 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/062 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/062(2013.01) H01L 31/062(2013.01)
출원번호/일자 1020140010544 (2014.01.28)
출원인 청주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1551694-0000 (2015.09.03)
공개번호/일자 10-2015-0090362 (2015.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20150910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.28)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광호 대한민국 대전광역시 유성구
2 민관홍 대한민국 충북 청주시 흥덕구
3 유정재 대한민국 충북 청주시 흥덕구
4 정상현 대한민국 충청북도 청원군
5 찬타솜바스시사바이 라오스 충북 청주시 상당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 원성수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)
2 박종경 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)
3 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0092497-22
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0544135-45
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0081363-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0884323-54
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0181724-03
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0285089-13
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0285084-96
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-0044439-18
10 등록결정서
Decision to grant
2015.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0590290-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.07 수리 (Accepted) 4-1-2017-5054173-55
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p-Si 기판 위에 산화알루미늄(Al2O3)을 RPALD(Remote-Plasma Atomic Layer Deposition, 원격 플라즈마 원자층 증착법)을 이용하여 200~400℃에서 증착하여 1~2㎚의 박막 절연층을 형성하는 과정;인쇄압력 0
2 2
제 1항에 있어서, 상기 전면 전극 위에 SiNX 반사방지막을 증착하는 과정;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄법을 이용한 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조 방법
3 3
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.