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다층 비정질 실리콘 산화인듐아연막 구조를 이용한 열 방사 방지막

  • 기술번호 : KST2015215615
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 하지층과 단열층 및 보호층으로 이루어진 다층 구조를 형성한 열 방사 방지막을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 하지층으로 형성한 제1 비정질 실리콘 산화인듐아연층(SIZO)과, 제1비정질 실리콘 산화인듐아연층(SIZO) 상에 단열층으로 형성한 은(Ag)층, 및 은(Ag)층 상에 보호층으로 형성한 제2 비정질 실리콘 산화인듐아연층(SIZO)을 포함하며, 제1 및 제2 비정질 실리콘 산화인듐아연층(SIZO)에 각각 포함된 실리콘의 함량은 0.01 ~ 30 wt% 인 것을 특징으로 한다.
Int. CL C23C 14/22 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) C23C 28/00 (2006.01) C23C 14/24 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01)
CPC C23C 14/22(2013.01)
출원번호/일자 1020140011053 (2014.01.29)
출원인 청주대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0090419 (2015.08.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 원성수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)
2 박종경 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0095924-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0098644-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0501733-78
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-0044439-18
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0921790-53
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0031816-57
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.07 수리 (Accepted) 4-1-2017-5054173-55
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하지층과 단열층 및 보호층으로 이루어진 다층 구조를 형성한 열 방사 방지막에 있어서,상기 다층 구조는, 상기 기판 상에 하지층으로 형성한 제1 비정질 실리콘 산화인듐아연층(SIZO)과, 상기 제1비정질 실리콘 산화인듐아연층(SIZO) 상에 형성한 단열층, 및 상기 단열층 상에 보호층으로 형성한 제2 비정질 실리콘 산화인듐아연층(SIZO)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 실리콘 산화인듐아연막 구조를 이용한 열 방사 방지막
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 비정질 실리콘 산화인듐아연층(SIZO)에 각각 포함된 실리콘의 함량은 0
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제1항에 있어서, 상기 단열층은 은(Ag) 층이고,상기 단열층은 열 증착법 또는 스퍼터링 방법으로 증착하고, 상기 단열층의 두께는 1nm 내지 20nm 인 것을 특징으로 하는 다층 비정질 실리콘 산화인듐아연막 구조를 이용한 열 방사 방지막
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 비정질 실리콘 산화인듐아연층(SIZO)은 스퍼터링 방법으로 증착하고,상기 제1 및 제2 비정질 실리콘 산화인듐아연층(SIZO)의 두께는 10nm 내지 1000nm 인 것을 특징으로 하는 다층 비정질 실리콘 산화인듐아연막 구조를 이용한 열 방사 방지막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 청주대학교 에너지자원융합원천기술개발 에너지 절약을 위한 그린빌딩용 로이코팅 창호 기술 개발