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양자우물 구조 태양전지 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015215618
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 태양전지의 효율을 개선하기 위하여 p형 및 n형 Si 반도체 웨이퍼 상에 1~10 nm의 박막 절연층과 1~10 nm의 박막 반도체층을 연속적으로 형성시키는 양자우물 구조를 적정 사이클 수만큼(수~수십 사이클) 형성시킨 후, 이 양자우물 구조 위에 기판과 다른 타입의 반도체인 n형 및 p형 실리콘을 적정 두께로(0.1~1 mm) 에미터층을 형성하고, 그 후에 한가지 방식은 직접적으로 에미터층 위에 금속성 핑거 전극을 형성시키고 금속성 핑거 상에 반사방지막으로 SiNx층을 전면적으로 형성하는 방식과, 또 한가지 방식은 에미터층을 형성한 후에 반사방지막인 SiNx층을 형성시키고 그 위에 금속 핑거를 형성시키는 방식을 취할 수 있으며, 상기 반도체 웨이퍼 저면에 패시베이션막을 형성하고, 각각 p+층 및 n+층을 국부적으로 도핑시켜 후면전계를 형성시킴으로써, 태양광의 투과손실 저감과 태양광 단파장손실 저감시킴으로써 이론적 변환효율의 한계를 뛰어넘는 고효율 태양전지를 얻고, 제조원가를 절감시키는 실용 가능한 양자우물 구조 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다.
Int. CL	H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020120068180 (2012.06.25)
출원인	청주대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1461602-0000 (2014.11.07)
공개번호/일자	10-2014-0003718 (2014.01.10) 문서열기
공고번호/일자	(20141120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.06.25)
심사청구항수	12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	청주대학교 산학협력단	대한민국	충청북도 청주시 청원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김광호	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	강세창	대한민국	서울 서초구 서초동 ** - 용빌딩 *층(명국제특허법률사무소)
2	원성수	대한민국	서울특별시 송파구 법원로, 호, **호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)
3	박종경	대한민국	서울특별시 송파구 법원로, 호, **호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)
4	추혁	대한민국	경기도 화성시 동탄대로 *- 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	청주대학교 산학협력단		충청북도 청주시 청원구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.06.25	수리 (Accepted)	1-1-2012-0505289-39
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.08.17	수리 (Accepted)	4-1-2012-5174664-69
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2013.05.13	수리 (Accepted)	1-1-2013-0416859-23
4	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2013.06.24	수리 (Accepted)	1-1-2013-0562031-83
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0609004-32
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.10.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0904608-49
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.10.07	수리 (Accepted)	1-1-2013-0904580-59
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2013-5175177-48
9	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0148541-37
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.04.24	수리 (Accepted)	1-1-2014-0391811-57
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.04.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0391823-05
12	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2014.06.11	수리 (Accepted)	1-1-2014-0544135-45
13	등록결정서 Decision to grant	2014.09.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0666432-75
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.07.31	수리 (Accepted)	4-1-2015-0044439-18
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.04.07	수리 (Accepted)	4-1-2017-5054173-55

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 p형 및 n형 중 어느 한 타입의 실리콘 기판 상에 1~10 nm의 박막 절연층과 1~10 nm의 박막 반도체층을 교대로 연속 형성시켜 양자우물층을 수~수십 사이클 수만큼 형성하는 과정;상기 양자우물층 위에 상기 기판과 다른 타입의 실리콘으로 에미터층을 형성하는 과정;상기 에미터층 위에 금속성 핑거 전극을 형성하는 과정;상기 금속성 핑거 상에 반사방지막으로 SiNx층을 전면에 형성하는 과정; 및상기 기판 저면에 패시베이션(Passivation)막을 형성하는 과정;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조 태양전지 제조 방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 양자우물층을 형성하기 전에, 상기 실리콘 기판을 텍스처링(Texturing)하는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조 태양전지 제조 방법
3	3 p형 및 n형 중 어느 하나의 실리콘 기판 상에 1~10 nm의 박막 절연층과 1~10 nm의 박막 반도체층을 교대로 연속 형성시켜 양자우물층을 수~수십 사이클 수만큼 형성하는 과정;상기 양자우물층 위에 상기 기판과 다른 타입의 실리콘으로 에미터층을 형성하는 과정;SiNx로 반사방지막을 전면에 형성하는 과정;상기 반사방지막 위에 금속성 핑거 전극을 형성하고 열처리하여 상기 금속성 핑거 전극을 상기 에미터층에 접촉시키는 과정; 및상기 기판 저면에 패시베이션(Passivation)막을 형성하는 과정;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조 태양전지 제조 방법
4	4 제 3항에 있어서, 상기 양자우물층을 형성하기 전에, 상기 실리콘 기판을 텍스처링(Texturing)하는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조 태양전지 제조 방법
5	5 p형 및 n형 중 어느 한 타입의 실리콘 기판 상에 1~10 nm의 박막 절연층과 1~10 nm의 박막 반도체층을 교대로 연속 형성시켜 수~수십 사이클 수만큼 형성된 양자우물층;상기 양자우물층 위에 상기 기판과 다른 타입의 실리콘으로 형성된 에미터층;상기 에미터층 위에 형성된 금속성 핑거 전극;상기 금속성 핑거 상 전면에 SiNx층으로 형성된 반사방지막; 및상기 기판 저면에 형성된 패시베이션(Passivation)막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조 태양전지
6	6 제 5항에 있어서, 상기 에미터층은,0
7	7 제 5항에 있어서, 상기 패시베이션막은,Al2O3막, Si3N4막, SiO2막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자우물 구조 태양전지
8	8 제 5항에 있어서, 상기 패시베이션막에, 상기 기판과 동일한 타입의 고도핑층을 국부적으로 도핑시켜 후면전계;를 더 형성하는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조 태양전지
9	9 p형 및 n형 중 어느 하나의 실리콘 기판 상에 1~10 nm의 박막 절연층과 1~10 nm의 박막 반도체층을 교대로 연속 형성시켜 수~수십 사이클 수만큼 형성된 양자우물층;상기 양자우물층 위에 상기 기판과 다른 타입의 실리콘으로 형성된 에미터층;상기 에미터층 전면에 SiNx로 형성된 반사방지막;상기 반사방지막 위에 형성되어 열처리에 의하여 상기 에미터층에 접촉되는 금속성 핑거 전극; 및상기 기판 저면에 형성된 패시베이션(Passivation)막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조 태양전지
10	10 제 9항에 있어서, 상기 에미터층은,0
11	11 제 9항에 있어서, 상기 패시베이션막은,Al2O3막, Si3N4막, SiO2막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자우물 구조 태양전지
12	12 제 9항에 있어서, 상기 패시베이션막에, 상기 기판과 동일한 타입의 고도핑층을 국부적으로 도핑시켜 후면전계;를 더 형성하는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조 태양전지

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP27526894	JP	일본	FAMILY
2	TWI557930	TW	대만	FAMILY
3	US20160204291	US	미국	FAMILY
4	WO2014003326	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP2015526894	JP	일본	DOCDBFAMILY
2	TW201405846	TW	대만	DOCDBFAMILY
3	TWI557930	TW	대만	DOCDBFAMILY
4	US2016204291	US	미국	DOCDBFAMILY
5	WO2014003326	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	청주대학교	기본연구지원사업	실용 가능한 양자구조 고효율 실리콘 태양전지 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1461602-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20120625 출원 번호 : 1020120068180 공고 연월일 : 20141120 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140929 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 양자우물 구조 태양전지 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 청주대학교 산학협력단 충청북도 청주시 청원구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	256,500 원	2014년 11월 07일	납입
제 4 년분	금 액	212,800 원	2017년 11월 06일	납입
제 5 년분	금 액	152,000 원	2018년 11월 07일	납입
제 6 년분	금 액	152,000 원	2019년 11월 05일	납입
제 7 년분	금 액	278,000 원	2020년 11월 09일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.06.25	수리 (Accepted)	1-1-2012-0505289-39
2	출원인정보변경(경정)신고서	2012.08.17	수리 (Accepted)	4-1-2012-5174664-69
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2013.05.13	수리 (Accepted)	1-1-2013-0416859-23
4	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2013.06.24	수리 (Accepted)	1-1-2013-0562031-83
5	의견제출통지서	2013.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0609004-32
6	[명세서등 보정]보정서	2013.10.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0904608-49
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.10.07	수리 (Accepted)	1-1-2013-0904580-59
8	출원인정보변경(경정)신고서	2013.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2013-5175177-48
9	의견제출통지서	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0148541-37
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.04.24	수리 (Accepted)	1-1-2014-0391811-57
11	[명세서등 보정]보정서	2014.04.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0391823-05
12	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2014.06.11	수리 (Accepted)	1-1-2014-0544135-45
13	등록결정서	2014.09.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0666432-75
14	출원인정보변경(경정)신고서	2015.07.31	수리 (Accepted)	4-1-2015-0044439-18
15	출원인정보변경(경정)신고서	2017.04.07	수리 (Accepted)	4-1-2017-5054173-55


과제고유번호	1345175250
세부과제번호	2010-0021828
연구과제명	실용 가능한 양자구조 고효율 실리콘 태양전지 개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	청주대학교
성과제출연도	2012
연구기간	201009~201308
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

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