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금속-절연체-반도체형 태양전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015215620
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지의 계면특성을 개선하기 위하여 RPALD 기법을 사용하여 Al2O3를 저온에서 증착하는 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조 방법에 관한 것으로, 원격 플라즈마 원자층 증착법(RPALD)을 사용하여 산화알루미늄(Al2O3)을 반도체 웨이퍼 상에 저온 증착하여 1~2nm의 초박막 절연층을 형성한 후, 상기 절연층 상에 금속성 핑거를 형성하고, 상기 금속성 핑거 상에 반사방지막으로 SiNx층을 증착하며, 상기 반도체 웨이퍼 저면에 전극을 형성하는 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/062 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020110102190 (2011.10.07)
출원인 청주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1299805-0000 (2013.08.19)
공개번호/일자 10-2013-0037775 (2013.04.17) 문서열기
공고번호/일자 (20130823) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광호 대한민국 대전광역시 유성구
2 김현준 대한민국 충청북도 청주시 상당구
3 장평우 대한민국 충청북도 청주시 상당구
4 정치섭 대한민국 충청북도 청주시 상당구
5 서문규 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안세영 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** 비봉빌딩 *층(장백국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 충청북도 청주시 청원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0782273-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.17 수리 (Accepted) 4-1-2012-5174664-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080014-53
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0042532-39
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0248043-43
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0348128-48
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0449650-51
9 등록결정서
Decision to grant
2013.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0554710-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2013-5175177-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-0044439-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.07 수리 (Accepted) 4-1-2017-5054173-55
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원격 플라즈마 원자층 증착법(RPALD)을 사용하여 산화알루미늄(Al2O3)을 반도체 웨이퍼 상에 저온 증착하여 1~2nm의 초박막 절연층을 형성한 후, 상기 절연층 상에 금속성 핑거를 형성하고, 상기 금속성 핑거 상에 반사방지막으로 SiNx층을 증착하며, 상기 반도체 웨이퍼 저면에 전극을 형성하는 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 절연층을 형성하기 전에, 상기 반도체 웨이퍼를 텍스처링(Texturing)하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조방법
3 3
트리메틸 알루미늄(TMA) 전구체 및 활성산소(Oxygen Radicals)를 사용하여 200~400℃에서 1~10 Ω·cm의 고유저항을 갖는 p형 Si에 초박막 Al2O3(박막 두께 1~2nm) 유전체 박막을 원격 플라즈마 원자층 증착법(RPALD)을 사용하여 증착하는 과정; 상기 증착된 초박막 Al2O3 상에 금속성 핑거들을 리프트오프(Lift-off) 및 스크린프린팅 중 어느 하나를 사용하여 상기 p형 Si의 전면에 형성시키며, 반사방지막으로 두께 70~95nm의 SiNx박막을 상기 형성된 금속성 핑거들 상에 부착하는 과정; 및 전극을 상기 p형 Si의 후면에 형성하고, 질소(N2) 및 수소를 혼합한 질소 중 어느 하나를 사용하여 400°C에서 어닐닝하는 과정;을 포함하는 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 유전체 박막을 형성하기 전에, 상기 p형 Si를 텍스처링(Texturing)하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 초박막 Al2O3 게이트 유전체 박막을 상기 p형 Si에 증착하는 과정은,사이클당 상기 트리메틸 알루미늄, 아르곤(Ar) 및 산소(O2)에 대해 각각 1~5초로 각 펄스시간을 유지하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조 방법
6 6
제 3항에 있어서, 상기 활성산소는, 상기 p형 Si와 이격된 원격 플라즈마 발생 영역에서 산소 가스를 분리함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 금속-절연체-반도체형 태양전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 청주대학교 기본연구지원사업 실용 가능한 양자구조 고효율 실리콘 태양전지 개발