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금속 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015215621
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 금속 박막 트랜지스터는 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 접촉하는 반도체 재질의 채널층, 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 접촉하지 않도록 상기 채널층과 접촉하는 금속 재질의 금속층을 포함하는 것을 특징으로 한다.상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 금속 박막 트랜지스터 및 그 제조방법은 소스 전극 및 드레인 전극과 접촉하는 반도체 재질의 채널층에 상기 전극들과 접촉하지 않고 상기 채널층과 접촉하는 금속 재질의 금속층을 형성함으로써 게이트 전압이 인가될 경우 상기 금속층을 통하여 높은 수준의 전자 이동도를 구현할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020120074329 (2012.07.09)
출원인 청주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1457762-0000 (2014.10.28)
공개번호/일자 10-2014-0007515 (2014.01.20) 문서열기
공고번호/일자 (20141103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.09)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 원성수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)
2 박종경 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 충청북도 청주시 청원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0545041-51
2 [서류송달대표자선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Representative for Transmittal of Document] Report on Agent (Representative)
2012.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0549487-93
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.17 수리 (Accepted) 4-1-2012-5174664-69
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0057694-74
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0557316-18
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0917642-96
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-1032390-40
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-1141180-93
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2013-5175177-48
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0030893-68
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0031286-32
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0030898-96
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0150453-10
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0412599-09
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0412600-68
17 등록결정서
Decision to grant
2014.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0574815-78
18 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0865236-43
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-0044439-18
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.07 수리 (Accepted) 4-1-2017-5054173-55
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번호 청구항
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게이트 전극상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막상에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 접촉하지 않는 금속 재질의 금속층을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막상에 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 금속층과 각각 접촉하도록 상기 소스 전극과 상기 금속층 사이와 상기 드레인 전극과 상기 금속층 사이에 반도체 재질의 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 박막 트랜지스터의 제조방법
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