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투명 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 형성된 절연층을 형성하는 단계;비정질 아연 산화물계 반도체 물질을 이용하여 상기 절연층 상에 액티브층을 형성하는 단계; 및상기 액티브층 상의 일 영역에 소스 전극을 형성하고, 상기 액티브층 상의 타 영역에 상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 고투광성 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 액티브층을 형성하는 단계는, 상기 액티브층의 형상에 대응하는 홀을 포함하는 제1 메탈 마스크를 상기 절연층 상에 배치하는 단계; 상기 제1 메탈 마스크 상에서 상기 홀을 통해 노출된 상기 절연층 상에 상기 비정질 아연 산화물계 반도체 물질을 증착하는 단계; 및상기 제1 메탈 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 고투광성 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계는, 상기 소스 전극의 형상에 대응하는 제1 홀과, 상기 제1 홀과 이격되며 상기 드레인 전극의 형상에 대응하는 제2홀을 포함하는 제2 메탈 마스크를 상기 액티브층 상에 배치하는 단계;상기 제2 메탈 마스크 상에서 상기 제1 홀 및 제2 홀을 통해 노출된 상기 액티브층 상에 전극 물질을 증착하는 단계; 및상기 제2 메탈 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 고투광성 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 비정질 아연 산화물계 반도체 물질은, 비정질 아연 산화물(ZnO) 및 비정질 인듐-갈륨-아연-산소 화합물(IGZO) 중 어느 하나인 고투광성 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 전극 물질은, ITO(Indium Tin Oxide) 및 비정질 알루미늄 아연 산화물(AZO) 중 어느 하나인 고투광성 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 투명 박막 트랜지스터를 산소 분위기에서 열처리하여 상기 액티브층의 표면에 잉여 산소를 공급하는 단계를 더 포함하는 고투광성 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계는,상기 투명 기판 상에 ITO(Indium Tin Oxide)을 스퍼터링으로 증착하여 150 내지 200㎚ 두께로 상기 게이트 전극을 형성하는 고투광성 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는, 상기 게이트 전극 상에 실리콘 산화물(SiO2)을 화학 기상 증착법으로 증착하여 150 내지 250㎚ 및 750 내지 850㎚ 중 어느 하나의 두께 범위로 상기 절연층을 형성하는 고투광성 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 액티브층은 100 내지 150㎚ 두께로 형성되는 고투광성 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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투명 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성되고, 비정질 아연 산화물계 반도체 물질을 포함하는 액티브층;상기 액티브층 상의 일 영역에 형성된 소스 전극; 및,상기 액티브층 상의 타 영역에 형성되고, 상기 소스 전극과 이격되어 형성된 드레인 전극을 포함하는 고투광성 투명 박막 트랜지스터
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