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GaAs 잉곳의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015216142
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 LEC법에 의하여 EPD가 비교적 작은 고품질의 GaAs 잉곳을 높은 수율로 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 GaAs 잉곳의 제조방법은 LEC법을 이용한 GaAs 용융액으로부터의 GaAs 잉곳의 제조방법에 있어서, 상기 GaAs 용융액 중에 도펀트로서 인듐(In)을 더 포함하도록 반응 용기 안에 인듐을 장입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C30B 29/42 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) C30B 15/00 (2006.01)
CPC C30B 15/002(2013.01) C30B 15/002(2013.01) C30B 15/002(2013.01) C30B 15/002(2013.01)
출원번호/일자 1020110013130 (2011.02.15)
출원인 가톨릭관동대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1303129-0000 (2013.08.28)
공개번호/일자 10-2012-0093518 (2012.08.23) 문서열기
공고번호/일자 (20130909) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.15)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 가톨릭관동대학교산학협력단 대한민국 강원도 강릉시 범일로**

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최규만 대한민국 강원도 양양군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 가톨릭관동대학교산학협력단 강원도 강릉시 범일로**
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0106147-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0051863-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0043113-91
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0249039-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0282036-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0282004-60
8 보정요구서
Request for Amendment
2013.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0034166-35
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2013.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0279808-80
10 등록결정서
Decision to grant
2013.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0585109-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5110971-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.04.25 수리 (Accepted) 4-1-2016-5050903-51
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
액체 밀봉 초크랄스키(Liquid Encapsulated Czochralski : LEC)법을 이용한 GaAs 용융액으로부터의 GaAs 잉곳의 제조방법에 있어서,상기 GaAs 용융액 중에 도펀트로서 인듐(In)을 더 포함하도록, 반응 용기 안에 인듐, 갈륨(Ga) 및 액체 봉지제 순으로 장입하는 단계; 및상기 반응 용기 안에 장입된 재료를 녹인 후 상기 반응 용기 안에 비소(As)를 넣어 상기 GaAs 용융액을 형성하는 단계를 포함하고,상기 액체 봉지제와 상기 반응 용기에 열을 가하는 핫 존(hot zone) 상단 부분 사이의 온도 차이가 100℃가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 GaAs 잉곳의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 갈륨, 비소 및 인듐의 배합량은 갈륨 1000g, 비소 1101
4 4
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 관동대학교 산학협력단 지역혁신센터 첨단해양공간개발연구센터