요약 | 본 발명은 프라세오디뮴계 산화아연 바리스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 산화아연(ZnO), 프라세오디뮴 산화물(Pr6O11), 코발트 산화물(CoO), 크롬 산화물(Cr2O3)에, 에르븀 산화물(Er2O3)을 첨가하여 소결함으로써 미세구조적 밀도가 5.3g/㎤ 이상인 동시에 전기적 유전손실계수가 5.5% 이하인 바리스터를 제조하는 것으로써, 이 바리스터는 종래의 비스무스(Bi)계 바리스터와는 근본적으로 조성물이 다를 뿐만 아니라 바리스터 특성이 우위에 있고, 종래의 프라세오디뮴계와도 비교시 바리스터 특성이 우수할 뿐만 아니라 특성의 변화가 적은 차세대 바리스터를 제공하는 것을 특징으로 한다.산화아연 바리스터, 프라세오디뮴 산화물, 에르븀 산화물, 미세구조적 밀도, 전기적 유전손실계수, 비직선 지수, 누설전류, 직류 가속열화 스트레스 |
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Int. CL | H01C 7/108 (2006.01) |
CPC | H01C 7/112(2013.01) H01C 7/112(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020020016906 (2002.03.28) |
출원인 | 학교법인 동의학원, 주식회사 에이피케이, 남춘우 |
등록번호/일자 | 10-0441863-0000 (2004.07.16) |
공개번호/일자 | 10-2003-0078095 (2003.10.08) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20040727) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2002.03.28) |
심사청구항수 | 3 |