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ZnO 나노와이어의 제조방법 및 그로부터 제조된 ZnO나노와이어

  • 기술번호 : KST2015216920
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Zn 금속을 증발시켜 Zn 입자로 입자화시키는 단계 및 상기 입자화된 Zn 입자를 공기중 · 대기압에서 산화시켜 표면에 ZnO 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 ZnO 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로, 여기서, 상기의 Zn 금속을 입자화시키는 단계는 열증착법을 이용하여 사파이어 기판 위에 Zn 금속을 증착시키는 것이다. 또한, 상기의 Zn 입자를 산화시키는 단계에서 산화온도, 산화시간을 조절하면 표면에 ZnO 나노와이어의 크기를 조절할 수 있다. 본 발명은 상기 제조방법으로 제조된 ZnO 나노와이어 또는 표면이 ZnO 나노와이어로 구성된 ZnO 입자에 관한 것이다.이로써 기존의 ZnO 나노와이어 제조를 위한 진공상태 및 가스 분압, 온도 조절 등 주위 분위기 조절의 문제점 없이, 공기중 · 대기압에서 산화시킴으로써 ZnO 나노와이어를 쉽게 생성시킬 수 ZnO 나노와이어 또는 표면이 ZnO 나노와이어로 구성된 ZnO 입자를 제공할 수 있다. 열증착법, ZnO, ZnO 나노와이어, ZnO 입자
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 9/02(2013.01)C01G 9/02(2013.01)C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020030044971 (2003.07.03)
출원인 학교법인 동의학원
등록번호/일자 10-0614130-0000 (2006.08.11)
공개번호/일자 10-2005-0005122 (2005.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20060822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.07.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 동의학원 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일수 대한민국 부산 부산진구
2 신병철 대한민국 부산광역시 부산진구
3 이근형 대한민국 부산광역시 부산진구
4 이원재 대한민국 부산광역시진구
5 전형도 대한민국 부산광역시 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2003-0243176-00
2 대리인 사임 신고서
Notification of resignation of agent
2004.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2004-0090779-11
3 대리인변경신고서
Agent change Notification
2004.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-5091309-83
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0019050-35
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0353853-19
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0531711-29
8 의견서
Written Opinion
2005.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0531712-75
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0046187-31
10 의견서
Written Opinion
2006.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0205834-68
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0205832-77
12 등록결정서
Decision to grant
2006.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0421568-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032861-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2014-5035689-08
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ZnO 나노와이어를 제조하는 방법에 있어서, Zn 금속을 증발시켜 Zn 입자로 입자화시키는 단계; 및 상기 입자화된 Zn 입자를 공기중·대기압에서 산화시켜 상기 Zn 입자 표면에 ZnO 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 ZnO 나노와이어의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기의 Zn 금속을 입자화시키는 단계는 열증착법을 이용하여 사파이어 기판 위에 Zn 입자를 증착시키는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기의 Zn 입자를 산화시키는 단계에서 산화온도, 산화시간을 조절하여 상기 ZnO 나노와이어의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기의 산화시키는 단계에서 산화온도는 900℃ 이상이며, 산화시간은 약 10분이상인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어의 제조방법
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 ZnO 나노와이어
6 6
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 표면에 ZnO 나노와이어가 형성된 ZnO 입자
7 6
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 표면에 ZnO 나노와이어가 형성된 ZnO 입자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.