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후면에 하나 이상의 기판-홀(hole)이 형성되어 있는 기판;
상기 기판-홀의 내부에 형성되며, 전도성 물질로 이루어진 열방출막;
상기 기판 상에 형성된 n형 클래드층;
상기 n형 클래드층 상에 형성된 활성층; 및
상기 활성층 상에 형성된 p형 클래드층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,
상기 기판-홀은 상기 기판을 관통하는 관통홀인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제2항에 있어서,
상기 기판과 상기 n형 클래드층 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하고,
상기 버퍼층에는 상기 기판-홀과 연결된 버퍼층-홀이 형성되어 있으며,
상기 열방출막은 상기 기판-홀과 버퍼층-홀 내부에 일체로 형성된 전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제3항에 있어서,
상기 버퍼층-홀은 상기 버퍼층을 관통하는 관통홀인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제4항에 있어서,
상기 n형 클래드층에는 상기 버퍼층-홀과 연결된 n형 클래드층-홀이 형성되어 있으며,
상기 열방출막은 상기 기판-홀, 버퍼층-홀 및 n형 클래드층-홀 내부에 일체로 형성된 전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층은 질화갈륨계 반도체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열방출막은 리플렉터(reflector) 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제7항에 있어서,
상기 열방출막은 Ag, Al, Pt, Pd 및 Rh 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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