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수직형 발광소자

  • 기술번호 : KST2015217093
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 형광체를 사용하지 않고 고연색성을 보이는 백색광을 발하는 수직형 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광소자는 P 금속층과, P 금속층 상에 형성된 P형 오믹접촉층과, P형 오믹접촉층 상에 형성된 활성층을 구비한다. 그리고 활성층 상에 형성되며, 제1두께를 갖는 제1부와 제1두께보다 두껍거나 동일한 제2두께를 갖는 제2부를 포함하여 이루어진 N형 오믹접촉층과, N형 오믹접촉층의 제1부 상에 형성된 N 금속층과, N형 오믹접촉층의 제2부 상에 N 금속층과 이격되도록 형성되며 입사된 광의 파장을 변환하는 파장변환층을 구비한다.
Int. CL H01L 33/08 (2014.01)
CPC H01L 33/501(2013.01) H01L 33/501(2013.01) H01L 33/501(2013.01) H01L 33/501(2013.01) H01L 33/501(2013.01) H01L 33/501(2013.01)
출원번호/일자 1020090033270 (2009.04.16)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1034211-0000 (2011.05.03)
공개번호/일자 10-2010-0114740 (2010.10.26) 문서열기
공고번호/일자 (20110512) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배성주 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 최재혁 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 송근만 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 전영진 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0230910-20
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction
2009.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0026023-55
3 보정요구서
Request for Amendment
2009.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0026022-10
4 직권수리안내서
Notification of Ex officio Acceptance
2009.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0026387-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0007320-22
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0151033-76
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0151068-63
8 등록결정서
Decision to grant
2011.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0221098-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520307-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
P 금속층; 상기 P 금속층 상에 형성된 P형 오믹접촉층; 상기 P형 오믹접촉층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성되며, 제1두께를 갖는 제1부와 상기 제1두께보다 두껍거나 동일한 제2두께를 갖는 제2부를 포함하여 이루어진 N형 오믹접촉층; 상기 N형 오믹접촉층의 제1부 상에 형성된 N 금속층; 및 질화물 반도체로 이루어지고, 상기 N형 오믹접촉층의 제2부 상에 상기 N 금속층과 이격되도록 형성되며, 입사된 광의 파장을 변환하는 파장변환층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 파장변환층 상에 형성된 보호 N형 오믹접촉층이 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 P형 오믹접촉층, 활성층, N형 오믹접촉층 및 파장변환층의 측면부에 형성된 반사막이 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 반사막은 금속 또는 유전체로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 활성층에서 출력되는 광이 상기 파장변환층을 통해 백색 광이 발광되도록 상기 활성층과 파장변환층이 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 P형 오믹접촉층, 활성층 및 N형 오믹접촉층은 질화물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 파장변환층은 InN, GaN, AlN, InGaN, InAlN, AlGaN 및 InGaAlN 중에서 선택된 2종 이상의 물질로 이루어진 양자우물 구조를 갖거나 디지털 합금(digital alloy)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.