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금속 보호층을 이용한 발광다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015217094
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 n-오믹 금속층과 보호층을 동일한 물질을 사용함으로써 공정 단계를 감소시키고, 낮은 온도에서 플라즈마 인가 없이 보호층을 증착할 수 있는 발광다이오드 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법은 n형 질화물 반도체 상에 n-오믹(ohmic) 금속층이 형성될 부분이 노출되도록 포토 레지스트 패턴(photo resist pattern)을 형성한다. 그리고 포토 레지스트 패턴과 상기 n형 질화물 반도체가 덮이도록 상기 n 형 질화물 반도체 상에 금속 보호층(metallic protection layer)을 형성한다. 그리고 포토 레지스트 패턴 상에 형성되어 있는 금속 보호층과 포토 레지스트 패턴을 함께 제거하여, n형 질화물 반도체의 표면 일부를 노출시킨다. 그리고 n형 질화물 반도체의 표면이 노출된 부분을 표면처리하여 상기 n형 질화물 반도체 표면을 거칠게(roughening) 한다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020090110359 (2009.11.16)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1081416-0000 (2011.11.02)
공개번호/일자 10-2011-0053707 (2011.05.24) 문서열기
공고번호/일자 (20111108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.16)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성호근 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 권용욱 대한민국 서울특별시 양천구
3 김신근 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 신기수 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0702135-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0033910-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0232237-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0389661-98
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0389667-61
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0430897-18
8 등록결정서
Decision to grant
2011.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0633973-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520307-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Cu 플레이팅 상에 형성되어 있는 고립된(isolated) n-GaN인 n형 질화물 반도체 상에 n-오믹(ohmic) 금속층이 형성될 부분이 노출되도록 포토 레지스트 패턴(photo resist pattern)을 형성하는 단계; 상기 포토 레지스트 패턴과 상기 n형 질화물 반도체가 덮이도록 상기 n 형 질화물 반도체 상에 n-오믹 금속으로 이루어진 금속 보호층(metallic protection layer)을 형성하는 단계; 상기 포토 레지스트 패턴 상에 형성되어 있는 금속 보호층과 상기 포토 레지스트 패턴을 함께 제거하여, 상기 n형 질화물 반도체의 표면 일부를 노출시키는 단계; 및 상기 n형 질화물 반도체의 표면이 노출된 부분을 표면처리하여 상기 n형 질화물 반도체 표면을 거칠게(roughening) 하는 단계;를 포함하여 상기 n형 질화물 반도체 상에 형성된 금속 보호층을 n-오믹 금속층으로 이용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 표면처리는 염기성 용액을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.