맞춤기술찾기

이전대상기술

오믹 접촉 전극의 모폴로지와 저항 개선을 위해 유전체 박막을 이용한 오믹 접촉 전극 형성방법

  • 기술번호 : KST2015217095
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고온 급속 열처리를 수행함에도 표면 모폴로지의 굴곡이 심하지 않게 되도록 하는 오믹 접촉 금속 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 오믹 접촉 금속 형성방법은 반도체층 상에 오믹(ohmic) 접촉 전극을 형성한 후, 열처리시 오믹 접촉 전극 표면의 모폴로지(morphology)가 굴곡지는 것을 방지하기 위해, 오믹 접촉 전극 상에 유전체 박막을 형성한다. 그리고 반도체층, 오믹 접촉 전극 및 유전체 박막이 적층된 적층 구조물을 열처리하여, 반도체층과 오믹 접촉 전극 사이의 접촉 저항을 개선하고, 유전체 박막을 제거한다.
Int. CL H01L 21/283 (2006.01)
CPC H01L 21/28575(2013.01) H01L 21/28575(2013.01)
출원번호/일자 1020090110393 (2009.11.16)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0053732 (2011.05.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.16)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 허종곤 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 성호근 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 박원규 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0702256-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005515-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0230879-07
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0402502-09
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0402400-40
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0488253-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체층 상에 오믹(ohmic) 접촉 전극을 형성하는 단계; 열처리시 상기 오믹 접촉 전극 표면의 모폴로지(morphology)가 굴곡지는 것을 방지하기 위해, 상기 오믹 접촉 전극 상에 유전체 박막을 형성하는 단계; 상기 반도체층, 오믹 접촉 전극 및 유전체 박막이 적층된 적층 구조물을 열처리하여, 상기 반도체층과 오믹 접촉 전극 사이의 접촉 저항을 개선하는 단계; 및 상기 유전체 박막을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 오믹 접촉 전극 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 유전체 박막은 상기 오믹 접촉 전극 표면 전부가 덮이도록 형성되는 것을 특징으로 하는 오믹 접촉 전극 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체층은 질화물계 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 오믹 접촉 전극 형성방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 질화물계 화합물 반도체는 질화갈륨(GaN)인 것을 특징으로 하는 오믹 접촉 전극 형성방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유전체 박막은 산화 실리콘(SiO2), 질화 실리콘(Si3N4) 및 산화 알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 오믹 접촉 전극 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.