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ｐ―ｎ 터널 다이오드를 구비한 태양전지

  • 기술번호 : KST2015217097
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상대적으로 결함이 적은 n형 기판을 이용하면서, 직렬 저항을 낮출 수 있는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 n형 기판과, n형 기판 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 p-n 접합을 형성하는 p-n 터널 다이오드와, p-n 터널 다이오드 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, n형 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과, 광전 변환셀 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다.
Int. CL H01L 31/06 (2006.01)
CPC H01L 31/0443(2013.01) H01L 31/0443(2013.01) H01L 31/0443(2013.01)
출원번호/일자 1020100001525 (2010.01.08)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1105250-0000 (2012.01.05)
공개번호/일자 10-2011-0081385 (2011.07.14) 문서열기
공고번호/일자 (20120117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전동환 대한민국 경상북도 상주시
2 박용민 대한민국 서울특별시 노원구
3 김창주 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 박상혁 대한민국 서울특별시 송파구
5 김신근 대한민국 경기도 수원시 영통구
6 성호근 대한민국 경기도 수원시 영통구
7 강호관 대한민국 서울특별시 강서구
8 박원규 대한민국 서울특별시 서초구
9 고철기 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0011166-55
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0194122-29
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0366526-59
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0366545-16
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0654384-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520307-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
n형 기판;상기 n형 기판 상에 형성되며, n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 p-n 접합을 형성하는 p-n 터널 다이오드;상기 p-n 터널 다이오드 상에 형성되며, n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀; 및상기 n형 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과 상기 광전 변환셀 상에 형성되는 상부 전극;을 포함하고,상기 하부 전극과 상부 전극은 n-오믹 접촉 전극인 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제2항에 있어서,상기 상부 전극과 하부 전극 사이에 윈도우층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제3항에 있어서,상기 윈도우층과 상기 상부 전극 사이에,상기 윈도우층 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 p-n 접합을 형성하는 다중 접합 p-n 터널 다이오드와, 상기 다중 접합 p-n 터널 다이오드 상에 형성되는 다중 접합 BSF(back surface field)층과, 상기 다중 접합 BSF층 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 다중 접합 광전 변환셀과, 상기 다중 접합 광전 변환셀 상에 형성되는 다중 접합 윈도우층을 포함하여 이루어진 다중 접합 단위 구조물이 하나 이상 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.