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패터닝된 반도체층을 갖는 반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015217103
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 수직 구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 도전성 기판과 상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극, 상기 p형 전극 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층과 n형 반도체층 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하며, 상기 n형 반도체층은 표면에 규칙적인 나노미터급 광결정 패턴의 오목부가 형성된 것이 특징이다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020100085509 (2010.09.01)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1179700-0000 (2012.08.29)
공개번호/일자 10-2012-0022207 (2012.03.12) 문서열기
공고번호/일자 (20120904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.01)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정상현 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 강호관 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0568362-16
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0665480-74
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0939766-84
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0939775-95
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0240302-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0409688-13
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.05.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0409716-15
8 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0324097-71
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520307-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
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2 2
삭제
3 3
반도체 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계;FIB 밀링을 이용하여 상기 반도체층 표면에 규칙적인 나노미터급 광결정 패턴의 볼록부를 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 p형 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계; 상기 p형 전극 상에 도전성 기판을 부착하는 단계; 레이저를 이용하여 상기 도전성 기판이 부착된 결과물로부터 상기 반도체 기판을 제거하되 상기 광결정 패턴을 이용해 상기 레이저를 상기 반도체 기판 측으로 반사시키는 단계; 상기 반도체층을 제거하는 단계; 및상기 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 볼록부는 상기 레이저를 반사시킬 수 있는 주기 및 크기로 형성하는 반도체 발광소자 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 나노미터급 광결정 패턴의 평면 모양은 삼각형, 사각형 또는 원형인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 반도체층은 n형이거나 비도핑된 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.