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기판 또는 박막의 상부에 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계;상기 임프린트 레진 층 또는 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 제1 패턴이 형성된 제1 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 이들이 혼용된 방법으로 1차 레진 패턴 층 또는 1차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계; 및상기 1차 레진 패턴 층 또는 1차 금속 산화박막 패턴 층을 상기 제1 임프린트용 스탬프와 다른 제2 패턴을 가진 제2 임프린트용 스탬프로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 이들이 혼용된 방법으로 2차 레진 패턴 층 또는 2차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계; 를 포함하여,이종(異種)의 선폭 및 패턴형태를 가진 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 1에 있어서, n차 레진 패턴 층 또는 n차 금속 산화박막 패턴 층을 제n 임프린트용 스탬프와 다른 제n+1 패턴을 가진 제n+1 임프린트용 스탬프로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 이들이 혼용된 방법으로 n+1차 레진 패턴 층 또는 n+1차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 n은 2 이상의 정수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 2에 있어서, 상기 n+1차 레진 패턴 층 또는 n+1차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계는 반복적으로 수행되는 것이 가능한 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 상기 제1 패턴, 제2 패턴 및 제n+1 패턴은, 선폭, 간격 및 깊이 중 적어도 어느 하나가 같거나 또는 다르게 이루어지며, 양각 또는 음각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 4에 있어서, 상기 제1 패턴, 제2 패턴 및 제n+1 패턴은 마이크로 패턴 또는 나노 패턴 중 선택된 어느 하나로 형성되어, 상기 이종의 선폭 및 패턴형태를 가진 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층은, 마이크로 및 나노 하이브리드 패턴 또는 나노 하이브리드 패턴 또는 마이크로 하이브리드 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 임프린트 레진 층 또는 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층의 패턴형성을 위한 완전경화 dose 값을 경계점으로, 상기 1차 레진 패턴 층 또는 1차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계에서는 상기 완전경화 dose 값 보다 적게 조사하고, 상기 2차 레진 패턴 층 또는 2차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계에서는 상기 완전경화 dose 값 이상을 조사하는 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 2에 있어서, 상기 임프린트 레진 층 또는 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층의 패턴형성을 위한 완전경화 dose 값을 경계점으로, 상기 1차, 2차 레진 패턴 층 또는 1차, 2차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계에서는 상기 완전경화 dose 값 보다 적게 조사하고, 상기 n+1차 레진 패턴 층 또는 n+1차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계에서는 상기 완전경화 dose 값 이상을 조사하는 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), SiC, GaN, ZnO, MgO, 사파이어, 석영, 유리 중 어느 하나 이상을 포함하는 무기물 기판 또는 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이드, 폴리비닐알콜, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설폰 중 어느 하나 이상을 포함하는 폴리머 기판인 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층은,리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층은,에틸헥사노에이트(Ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(Acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(Dialkyldithiocarbamates), 카르복실산(Carboxylic acids), 카르복실레이트(Carboxylates), 피리딘(Pyridine), 디아민(Diamines), 아르신(Arsines), 디아르신(Diarsines), 포스핀(Phosphines), 디포스핀(Diphosphines), 부톡사이드(Butoxide), 이소프로팍사이드(Isopropoxide), 에톡사이드(Ethoxide), 클로라이드(Chloride), 아세테이트(Acetate), 카르보닐(Carbonyl), 카르보네이트(Carbonate), 하이드록사이드(Hydroxide), 아레네스(Arenas), 베타-디케토네이트(Beta-Diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-Nitrobenzaldehyde), 아세테이트 디하이드레이트(Acetate Dihydrate) 중 어느 하나 이상의 유기물 리간드로 이루어진 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층은,헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-Methyl-2-Pentanone), 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(Dimethyl Sulfoxide: DMSO), 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide: DMF), 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran: THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄, 2-메톡시에탄올(E-Methoxyethanol)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 용매를 이용해 생성하는 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 임프린트 스탬프 또는 제2 임프린트 스탬프는 실리콘(Si), 산화실리콘(SiO2), 석영(Quartz), 니켈(Ni), 구리(Cu) 중 어느 하나로 이루어지거나, PDMS(Polydimethylsiloxane), PUA(Polyurethane acrylate), ETFE(Ethylene Tetrafluoroethylene), PFA(Perfluoroalkyl acrylate), PFPE(Perfluoropolyether), PTFE(Polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나 이상을 포함하는 폴리머 스탬프를 사용하는 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp) 또는 제2 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고 빛을 조사하는 경우, 자외선, 마이크로웨이브(Microwave), X선 및 감마선 중 어느 하나를 상기 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층에 조사하며, 상기 자외선 조사 시 조사시간은 1초~5시간인 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp) 또는 제2 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고 가열하는 경우, 가열 온도는 30~300℃의 범위에서 진행되며, 1초~5시간 동안 상기 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 가열하는 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체 제조방법
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