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반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법에 있어서,기판 상층에 레지스트층을 형성하는 제1단계;상기 레지스트층을 패터닝하여 3차원 블락킹(blocking) 마스크를 형성하는 제2단계;상기 3차원 블락킹 마스크 상층 및 기판 상층에 블락킹 패턴층을 증착하는 제3단계;상기 3차원 블락킹 마스크를 제거하여 기판 상층에 "┰" 형태의 3차원 블락킹 패턴을 형성하는 제4단계; 및상기 3차원 블락킹 패턴 형성 후 반도체층을 증착하는 제5단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제4단계의 3차원 블락킹 패턴은,상기 3차원 블락킹 패턴 간의 간격에 있어서, 상부(Top) 영역(a)이 하부(Bottom) 영역(b)보다 더 작은 것(a/b003c#1)을 특징으로 하는 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 2항에 있어서, 상기 제2단계의 3차원 블락킹 마스크는,포토리소그래피(Photo Lithography), 전자빔리소그래피(E-Beam Lithography) 및 나노임프린트리소그래피(Nano Imprint Lithography) 중 어느 하나의 방법 또는 두 개 이상의 방법을 혼용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 포토리소그래피 또는 전자빔리소그래피 방법을 사용하는 경우에는, 상기 제1단계의 레지스트층을 감광도가 서로 다른 3층의 레지스트층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 포토리소그래피 또는 전자빔리소그래피 방법을 사용하는 경우에는, 상기 제1단계의 레지스트층을 동일한 종류로 형성하여 3차원 블락킹 마스크의 패턴에 따라 노광에너지를 각각 다르게 노광시키는 것을 특징으로 하는 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 포토리소그래피 또는 전자빔리소그래피 방법을 사용하는 경우에는, 3차원 블락킹 마스크의 패턴의 형태에 따라 상기 제1단계의 레지스트층 형성 후 노광 패터닝을 다수회 반복하는 것을 특징으로 하는 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 나노임프린트리소그래피 방법을 사용하는 경우에는,상기 제1단계의 레지스트층 형성 후 3차원 블락킹 마스크의 패턴에 대응하는 몰드에 의한 임프린팅 공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계의 3차원 블락킹 패턴은,질화물 또는 산화물인 것을 특징으로 하는 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제5단계의 반도체층은,질화갈륨, n형 질화갈륨, p형 질화갈륨, AlGaAs, InGaAlP, GaAsP, GaP, InGaN, PGaN, SiC 및 InGaAlN 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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