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마이크로/나노 하이브리드 패턴을 포함하는 스탬프 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015217112
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스탬프의 변형 및 파손이 적고 스탬프의 패턴 모양이나 크기(선폭 또는 높이 등) 변경이 용이하며 공정 비용이 저렴한 마이크로/나노 하이브리드 패턴을 포함하는 스탬프 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 스탬프 제조 방법에서는, 금속 원소에 전자빔과 광에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체 조성물을 스탬프용 기판에 코팅한 다음, 상기 금속-유기물 전구체 조성물에 전자빔과 광을 국부적으로 각각 조사한 후 현상액 세정을 통해 마이크로/나노 하이브리드 패턴된 금속 산화 박막 패턴을 형성한다. 이러한 스탬프는 기존에 고온 고압 공정을 통해 제조된 마스터 몰드처럼 변형되거나 파손될 가능성이 적으며 패턴 전체를 전자빔 리소그래피로 형성하는 경우에 비해 저비용으로 제작할 수 있다. 또한 본 발명에 따르면 스탬프를 구성하는 금속 산화 박막 패턴을 처음과 다르게 변형시키는 것이 가능해, 제작된 하나의 스탬프를 이용하여 리소그래피 등의 복잡한 방법 없이 패턴의 형태나 선폭 등을 변경하여 다양한 모양과 크기를 갖는 새로운 스탬프 제작이 가능하다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC G03F 7/2012(2013.01) G03F 7/2012(2013.01) G03F 7/2012(2013.01) G03F 7/2012(2013.01) G03F 7/2012(2013.01) G03F 7/2012(2013.01)
출원번호/일자 1020100131479 (2010.12.21)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0070076 (2012.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형호 대한민국 대전광역시 유성구
2 신영민 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 황선용 대한민국 서울특별시 종로구
4 김창환 대한민국 경기도 부천시 원미구
5 강호관 대한민국 서울특별시 강서구
6 이종근 대한민국 서울특별시 강동구
7 고철기 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0843790-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0014266-60
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0620154-41
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0908881-45
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0908888-64
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0195286-45
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
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번호 청구항
1 1
금속 원소에 전자빔과 광에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체 조성물을 스탬프용 기판에 코팅하는 단계; 및상기 금속-유기물 전구체 조성물에 전자빔과 광을 국부적으로 각각 조사한 후 현상액 세정을 통해 마이크로/나노 하이브리드 패턴된 금속 산화 박막 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 스탬프 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 산화 박막 패턴은 수십 나노미터 크기의 패턴과 수백 나노미터 크기의 패턴을 포함하며, 상기 수십 나노미터 크기의 패턴은 전자빔을 조사하여 형성하고 상기 수백 나노미터 크기의 패턴은 자외선, KrF 또는 ArF 중 적어도 어느 하나를 조사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 산화 박막 패턴은 선형, 원형, 타원형, 사각형, 오각형, 육각형, 다각형, 또는 라멜라(lamellar)의 형태를 가진 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속 산화 박막 패턴을 형성하는 단계 이후에상기 금속 산화 박막 패턴의 모양, 선폭 및 높이 중 적어도 어느 하나를 변화시키도록 상기 금속 산화 박막 패턴을 가열하거나 마이크로웨이브(microwave), X-선, 감마선 또는 자외선을 조사하거나 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 금속 산화 박막 패턴 가열시 가열 온도는 30℃ 내지 800℃이며, 가열 시간은 5초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 금속 산화 박막 패턴에 자외선 조사시 조사 시간은 1초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 금속-유기물 전구체를 구성하는 금속 원소는 리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po) 및 우라늄(U)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 금속-유기물 전구체를 구성하는 유기물 리간드는 에틸헥사노에이트(ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(dialkyldithiocarbamates), 카르복실산(carboxylic acids), 카르복실레이트(carboxylates), 피리딘(pyridine), 디아민(diamines), 아르신(arsines), 디아르신(diarsines), 포스핀(phosphines), 디포스핀(diphosphines), 부톡사이드(butoxide), 이소프로팍사이드(isopropoxide), 에톡사이드(ethoxide), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 카르보닐(carbonyl), 카르보네이트(carbonate), 하이드록사이드(hydroxide), 아레네스(arenas), 베타-디케토네이트(beta-diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-nitrobenzaldehyde), 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate) 및 이들의 혼합물을 포함하는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 금속-유기물 전구체 조성물은 용매로써 헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-methyl-2-pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 및 2-메톡시에탄올(e-methoxyethanol)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 현상액은 헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-methyl-2-pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 및 2-메톡시에탄올(e-methoxyethanol)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.