맞춤기술찾기

이전대상기술

반도체 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015217113
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전류 확산 효과가 높도록 큰 두께를 갖지만 광 흡수는 적은 n형 반도체층을 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광 소자는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극; 상기 p형 전극 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극;을 포함하며, 상기 n형 반도체층은 상기 n형 전극과 인접하며 도핑 농도가 상대적으로 높은 고농도층과 상기 고농도층 아래에 도핑 농도가 상대적으로 낮은 저농도층을 포함한다.
Int. CL H01L 33/04 (2014.01) H01L 33/14 (2014.01)
CPC H01L 33/025(2013.01) H01L 33/025(2013.01)
출원번호/일자 1020100127504 (2010.12.14)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1220407-0000 (2013.01.03)
공개번호/일자 10-2012-0066257 (2012.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20130121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.14)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 배성주 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 신찬수 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 김동현 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 최재혁 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 주인찬 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0822672-46
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0031433-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0236213-95
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0494790-44
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0494777-50
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
8 등록결정서
Decision to grant
2012.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0606661-59
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520307-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극; 상기 p형 전극 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극;을 포함하며, 상기 n형 반도체층은 상기 n형 전극과 인접하며 도핑 농도가 상대적으로 높은 고농도층과 상기 고농도층 아래에 도핑 농도가 상대적으로 낮은 저농도층을 포함하고, 상기 고농도층의 도핑 농도는 1 x 1019cm-3 ~ 1 x 1020cm-3이며,상기 저농도층은 상기 활성층과 인접하는 부분의 도핑 농도가 더 높은 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 n형 반도체층의 전체 두께는 1㎛ ~ 5㎛이고 상기 고농도층의 두께는 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 고농도층과 저농도층 사이의 도핑 농도는 연속적으로 변화하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 경기도 나노소자특화팹센터 경기도 기술개발사업(전략산업) 일반조명용 수직형구조의 LED 기술개발