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광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀;상기 광전 변환셀 상에 형성되며, 화합물반도체로 이루어진 윈도우층(window layer);상기 윈도우층 상에 감광막을 마스크로 하여 습식 식각되어 형성되는 캡층(cap layer); 상기 캡층의 상면에 개구된 일부 영역을 제외하고 상기 캡층과 상기 윈도우층의 표면이 노출된 영역 상에 형성되는 무반사막; 및상기 캡층의 상면에 형성되는 그리드 금속 패턴;을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 화합물반도체는 Ⅱ, Ⅲ, Ⅳ, V, Ⅵ족 원소들 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질 또는 그 물질들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 무반사막은 Si3N4, SiO2, ZnS, MgF2로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 물질, 또는 그 물질들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 그리드 금속 패턴은 상기 캡층 표면 위에 오믹 특성을 가질 수 있는 Au, AuGe, Ni, Ti, Pt로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속, 또는 그 금속들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 그리드 금속 패턴의 상면에 전도성이 우수한 Au 또는 Ag을 도금하여 그리드 금속 패턴을 두껍게 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 태양전지
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(a) 광전 변환셀, 윈도우층, 캡층을 순차적으로 적층하여 화합물반도체 태양전지 에피 웨이퍼를 형성하는 단계;(b) 상기 에피 웨이퍼에 갈바닉효과를 억제하기 위해 제1 감광막을 식각마스크로 이용하여 상기 캡층을 습식 식각하는 단계;(c) 상기 습식 식각된 캡층 위에 갈바닉효과를 억제하기 위해 무반사막을 증착하여 표면을 보호하는 단계; 및(d) 상기 무반사막을 이용하여 표면보호 후 그리드 금속 패턴을 형성하는 단계;로 이루어지는 화합물반도체 태양전지 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (d) 단계는, 상기 캡층의 상면에 일부 영역이 개구되도록 제2 감광막을 식각마스크로 이용하여 상기 캡층의 상면 중 일부 영역을 식각하여 무반사막 비아를 형성하는 단계;상기 캡층과 제2 감광막의 전체 영역에 그리드 금속을 증착하는 단계;상기 제2 감광막을 제거하여 상기 캡층의 개구된 영역에 그리드 금속 패턴을 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 태양전지 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (d) 단계 이후, 도금 공정을 이용하여 그리드 금속 패턴을 두껍게 하는 단계;가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 태양전지 제조방법
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(a) 광전 변환셀, 윈도우층, 캡층을 순차적으로 적층하여 화합물반도체 태양전지 에피 웨이퍼를 형성하는 단계;(b) 상기 에피 웨이퍼에 갈바닉효과를 억제하기 위해 제1 감광막을 식각마스크로 이용하여 상기 캡층을 습식 식각하는 단계;(c) 상기 습식 식각된 캡층 위에 제2 감광막을 증착하고, 상기 윈도우층의 표면이 노출된 영역과 상기 제2 감광막 상에 무반사막을 증착하는 단계; (d) 상기 제2 감광막을 제거하여 상기 캡층의 상면에 일부 영역을 노출시키는 단계;(e) 상기 무반사막 상에 제3 감광막을 증착시키는 단계;(f) 상기 캡층과 제3 감광막의 전체 영역에 그리드 금속을 증착하는 단계; 및(g) 상기 제3 감광막을 제거하여 상기 캡층의 개구된 영역에 그리드 금속 패턴을 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 태양전지 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 (g) 단계 이후, 도금 공정을 이용하여 그리드 금속 패턴을 두껍게 하는 단계;가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 태양전지 제조방법
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