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제1 베이스 기판;상기 제1 베이스 기판 상에 증착 또는 성장된 제1 태양전지 셀층;상기 제1 베이스 기판과는 다른 종류의 제2 베이스 기판; 상기 제2 베이스 기판 상에 증착 또는 성장된 제2 태양전지 셀층; 및상기 제1 베이스 기판 또는 상기 제1 태양전지 셀층에 형성된 오믹 층과, 상기 제2 베이스 기판 또는 상기 제2 태양전지 셀층에 형성된 오믹 층을 직접 본딩하며, 일부 또는 전체가 광학적으로 투명하게 형성되는 본딩층;으로 이루어지는 다중접합 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 베이스 기판과 제2 베이스 기판은 원소주기율 상 4족, 3-5족, 2-6족 원소의 조합 및 Mo, SixOy의 물질들 중 어느 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제3 베이스 기판 내지 제n 베이스 기판이 더 포함되며, 각각의 베이스 기판 상에 태양전지 셀층이 증착 또는 성장되어 형성되고, 제n 베이스 기판이 포함되는 경우, 상기 본딩층은 n-1개로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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4
제 1 항에 있어서, 상기 본딩층의 하부에 상기 제1 베이스 기판이 위치하고, 상기 본딩층의 상부에 상기 제2 베이스 기판이 위치하며,상기 제1 베이스 기판은 Si 또는 InP로 이루어지고,상기 제2 베이스 기판은 GaAs로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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5
제 4 항에 있어서, 상기 제1 베이스 기판 상에 형성되는 제1 태양전지 셀층은 기판보다 밴드갭이 낮은 물질을 성장하여 이종접합 태양전지를 형성하며 전류 제한이 일어나지 않게 하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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6
제 5 항에 있어서, 상기 제1 베이스 기판은 Si로 이루어지고, 상기 제1 태양전지 셀층은 SiGe 또는 Ge로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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7
제 5 항에 있어서, 상기 제1 베이스 기판은 InP로 이루어지고, 상기 제1 태양전지 셀층은 InGaAs로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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8
제 4 항에 있어서, 상기 제2 베이스 기판은 GaAs로 이루어지고, 상기 제2 태양전지 셀층은 InGaP로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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9
제 1 항에 있어서, 상기 제1 태양전지 셀층과 제2 태양전지 셀층은 단일 또는 다중접합 태양전지 셀로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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10
제 1 항에 있어서, 상기 본딩층은 상부에 위치하는 기판과 p-ohmic 접촉을 하고, 하부에 위치하는 기판과 n-ohmic 접촉을 하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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11
제 1 항에 있어서, 상기 본딩층은 ITO, ATO, IZO, AZO로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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12
제 1 항에 있어서, 상기 본딩층은 금속 물질로 이루어지는 본딩부와, 상기 본딩부 사이에 충진되는 투명부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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13
제 12 항에 있어서, 상기 투명부는 굴절률 1
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14
제 12 항 또는 제 13항에 있어서, 상기 투명부는 전도성을 갖는 물질이 포함되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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15
제1 베이스 기판 상에 제1 태양전지 셀층을 형성하는 단계;제2 베이스 기판 상에 제2 태양전지 셀층을 형성하는 단계; 및상기 제1 베이스 기판 또는 상기 제1 태양전지 셀층에 형성된 오믹 층과, 상기 제2 베이스 기판 또는 상기 제2 태양전지 셀층에 형성된 오믹 층을 직접 본딩하여 본딩층을 형성하는 접합단계;로 이루어지는 다중접합 태양전지의 제조방법
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제 15 항에 있어서, 상기 제1 태양전지 셀층과 제2 태양전지 셀층은 기판 상에 증착 또는 성장시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
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제 15 항에 있어서, 상기 제1 태양전지 셀층과 제2 태양전지 셀층은 단일 또는 다중접합 태양전지 셀로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
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18
제 15 항에 있어서, 상기 본딩층은 금속 물질로 이루어지는 본딩부와, 상기 본딩부 사이에 충진되며, 굴절률 1
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