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몰드용 기판 상부에 전자 빔 리소그래피(E-Beam Lithography) 또는 포토 리소그래피(Photo Lithography) 공정으로 패턴을 형성한 후, 식각을 통해 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography)를 위한 마이크로 또는 나노 패턴이 형성된 마스터 몰드를 제작하여 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 취득하는 단계;기판의 상부에 고분자 물질, 절연체 물질 또는 금속 물질 중 하나 이상으로 이루어진 희생층 막(Sacrificial Layer)을 증착 또는 코팅하는 단계;상기 희생층 막(Sacrificial Layer)의 상부에 임프린트용 레진(Imprint Resin)을 코팅하며, 상기 임프린트용 레진(Imprint Resin) 상부에 상기 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 이용하여, 복수의 상이한 패턴깊이 또는 복수의 상이한 패턴형태를 형성하며 이루어진 다단 패턴(Multi-Level Pattern)을 형성하는 단계;건식 식각(Dry Etching) 공정으로 상기 다단 패턴(Multi-Level Pattern) 중 패턴 깊이가 상대적으로 얕은 영역은 상기 희생층 막, 상기 임프린트용 레진이 노출되도록 식각하고, 패턴 깊이가 상대적으로 깊은 영역은 상기 기판이 노출되도록 식각하는 단계;상기 건식 식각 공정 후 상기 다단 패턴(Multi-Level Pattern)된 상기 기판, 상기 희생층 막 및 상기 임프린트용 레진 표면에 금속층(Metal Layer)을 증착하는 단계;상기 건식 식각 후 잔류하는 상기 임프린트용 레진을 리프트 오프(Lift-Off) 공정으로 제거하는 단계;상기 금속층을 에칭 마스크(Etching Mask)로 이용하여 상기 희생층 막을 식각하는 단계 및상기 희생층 막을 제거하는 단계를 포함하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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몰드용 기판 상부에 전자 빔 리소그래피(E-Beam Lithography) 또는 포토 리소그래피(Photo Lithography) 공정으로 패턴을 형성한 후, 식각을 통해 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography)를 위한 마이크로 또는 나노 패턴이 형성된 마스터 몰드를 제작하여 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 취득하는 단계;기판의 상부에 고분자 물질, 절연체 물질 또는 금속 물질 중 하나 이상으로 이루어진 희생층 막(Sacrificial Layer)을 증착하는 단계;상기 희생층 막(Sacrificial Layer)의 상부에 제 1층 막을 형성하고, 임프린트용 레진(Imprint Resin)을 코팅하며, 상기 임프린트용 레진(Imprint Resin) 상부에 상기 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 이용하여, 복수의 상이한 패턴깊이 또는 복수의 상이한 패턴형태를 형성하며 이루어진 다단 패턴(Multi-Level Pattern)을 형성하는 단계;건식 식각(Dry Etching) 공정으로 상기 다단 패턴(Multi-Level Pattern) 중 패턴 깊이가 상대적으로 얕은 영역은 상기 제 1층 막이 노출되도록 식각하고, 패턴 깊이가 상대적으로 깊은 영역은 상기 희생층 막이 노출되도록 식각하는 단계;상기 건식 식각 공정 후 상기 다단 패턴(Multi-Level Pattern)된 상기 제 1층막, 상기 희생층 막 및 상기 임프린트용 레진 표면에 금속층(Metal Layer)을 증착하는 단계;상기 건식 식각 후 잔류하는 상기 임프린트용 레진을 리프트 오프(Lift-Off) 공정으로 제거하는 단계;상기 금속층을 에칭 마스크(Etching Mask)로 이용하여 상기 제 1층 막을 식각하는 단계 및상기 희생층 막을 제거하여, 상기 제 1층 막의 국부적인 식각 및 패턴된 제 2층 막을 증착하는 단계를 포함하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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몰드용 기판 상부에 전자 빔 리소그래피(E-Beam Lithography) 또는 포토 리소그래피(Photo Lithography) 공정으로 패턴을 형성한 후, 식각을 통해 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography)를 위한 마이크로 또는 나노 패턴이 형성된 마스터 몰드를 제작하여 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 취득하는 단계;기판의 상부에 고분자 물질, 절연체 물질 또는 금속 물질 중 하나 이상으로 이루어진 제 1층 막을 증착하는 단계;상기 제 1층 막 상부에 제 2층 막을 형성 후, 임프린트용 레진(Imprint Resin)을 코팅하며, 상기 임프린트용 레진(Imprint Resin) 상부에 상기 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 이용하여, 복수의 상이한 패턴깊이 또는 복수의 상이한 패턴형태를 형성하며 이루어진 다단 패턴(Multi-Level Pattern)을 형성하는 단계;건식 식각(Dry Etching) 공정으로 상기 다단 패턴(Multi-Level Pattern) 중 패턴 깊이가 상대적으로 얕은 영역은 상기 제 2층 막, 상기 임프린트용 레진이 노출되도록 식각하고, 패턴 깊이가 상대적으로 깊은 영역은 상기 제 1층 막의 일부 영역과 상기 기판이 노출되도록 식각하는 단계;상기 건식 식각 공정 후 상기 다단 패턴(Multi-Level Pattern)된 상기 제 1층 막, 상기 제 1층막 및 상기 임프린트용 레진 표면, 기판에 금속층(Metal Layer)을 증착하는 단계;상기 건식 식각 후 잔류하는 상기 임프린트용 레진을 리프트 오프(Lift-Off) 공정으로 제거하는 단계;상기 금속층을 에칭 마스크(Etching Mask)로 이용하여 상기 제 1층 및 제2층 막, 상기 기판을 식각하는 단계;상기 제 2층 막을 제거하는 단계;상기 금속층을 에칭 마스크(Etching Mask)로 이용하여 상기 제 1층 막과 상기 기판을 식각하는 단계 및상기 금속층 하부에 잔류하는 상기 제 1층 막을 제거하는 단계를 포함하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마스터 몰드는,고분자, 절연체 또는 금속 중 어느 하나로 이루어진 상기 몰드용 기판에 복수의 패턴 깊이 또는 복수의 패턴형태를 형성하며 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다단 패턴은,패턴 형상이 선형, 원형, 타원형, 다각형 또는 라멜라(Lamellar) 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 5항에 있어서, 상기 다단 패턴은,패턴 깊이가 10㎚~900㎛의 범위에 속하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다단 스탬프는,상기 임프린트용 레진의 유동성 조절, 상기 마스터 몰드의 휘어짐 방지 또는 지지를 위해 더미 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은,실리콘, 질화갈륨, n형 질화갈륨, p형 질화갈륨, 질산화갈륨인, InAlGaN, 갈륨비소, 알루미늄갈륨비소, 인듐인, 갈륨인, CIGS(Copper Indium Galium Selenide), 텔루르화카드뮴, 황화카드뮴, 황화구리, 텔루르화아연, 황화납, 카파인디움다이셀레나이드, 갈륨안티모니, 갈륨비소인, 산화규소, 사파이어 또는 석영 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 희생층 막은,Polyvinyl Chloride(PVC), Neoprene, Polyvinyl Alcohol(PVA), Poly Methyl Meta Acrylate(PMMA), Poly Benzyl Meta Acrylate(PBMA), PolySylene, SOG(Spin On Glass), Polydimethylsiloxane(PDMS), Poly Vinyl formal(PVFM), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether 또는 Polyimide 중 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 9항에 있어서, 상기 희생층 막은,열 증착(Thermal Evaportor), 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD), 물리기상증착(Physical Vapor Deposition; PVD), 스퍼터링(Sputtering) 또는 스핀 코팅(Spin Coating) 중 어느 하나의 방식으로 증착하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 건식 식각은,Cl2, HBr, HCl, SF6, CF4, CHF3, NF3 또는 CFCs(ChloroFluoroCarbons)로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 사용한 식각인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 11항에 있어서, 상기 건식 식각은, N2, Ar 또는 He 중 하나 이상의 불활성 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층은,Ni, Co, Fe, Pt, Au, Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V 또는 Zr 중 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 13항에 있어서, 상기 금속층은,두께가 1㎚~500㎚ 범위에 속하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 1항 또는 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 층 막은,도전성 물질, 절연성 물질 또는 금속성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 1항 또는 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 층 막은,도전성 물질, 절연성 물질 또는 금속성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법은,상기 희생층 막의 건식 식각 선택비(Selectivity)를 높이기 위해 상기 희생층 막의 상부에 상기 금속층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법은,상기 희생층 막 식각 시 상기 기판의 식각을 방지하기 위해 상기 기판 상부에 Cr, SiO2 또는 Si 중 하나 이상을 증착하여 식각 마스크로 사용하는 Bi-Layer 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
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