| 1 |
1
임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정과 리프트 오프(Lift-Off) 공정을 이용하여 굴절률이 조절된 다층박막의 나노 구조체를 형성하는 방법에 있어서,기판의 상부에 고분자 층을 형성하는 단계,상기 고분자 층 상부에 Si(Silicon) 또는 금속산화물(Metal Oxide) 나노입자(Nanoparticle)가 포함된 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계;Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 상기 임프린트 레진 층 또는 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 패턴이 형성된 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 하나 또는 혼용 방법으로 Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계;상기 임프린트용 스탬프를 제거하고, Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 상기 레진 패턴 층, 상기 금속 산화박막 패턴 층 또는 상기 고분자 층 중 어느 하나 이상을 식각하여, 상기 기판이 노출되도록 언더컷(Undercut)을 형성하는 단계;Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 상기 레진 패턴 층, 상기 금속 산화박막 패턴 층 또는 상기 기판 중 어느 하나 이상의 상부에 금속, 금속 산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물 막 중 어느 하나 이상의 막을 형성하는 단계 및상기 금속, 금속 산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물 막 패턴 중 어느 하나 이상을 용매를 이용해 리프트 오프(Lift-Off)하여 나노 구조체를 취득하는 단계를 포함하며,상기 임프린트 레진 층은,Si 또는 SiO2, ZrO2, TiO2, ZnO, Fe2O3 또는 Y2O3 중 어느 하나 이상이 포함된 금속산화물 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 임프린트용 스탬프를 압착하고, 마이크로웨이브(Microwave), X선, 감마선 또는 자외선 중 어느 하나를 10초~10분간 조사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 2 |
2
임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정과 리프트 오프(Lift-Off) 공정을 이용하여 굴절률이 조절된 다층박막의 나노 구조체를 형성하는 방법에 있어서,박막에 고분자 층을 형성하는 단계;상기 고분자 층 상부에 Si(Silicon) 또는 금속산화물(Metal Oxide) 나노입자(Nanoparticle)가 포함된 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계;Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 상기 임프린트 레진 층 또는 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 패턴이 형성된 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 하나 또는 혼용 방법으로 Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계;상기 임프린트용 스탬프를 제거하고, Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 상기 레진 패턴 층, 상기 금속 산화박막 패턴 층 또는 상기 고분자 층 중 어느 하나 이상을 식각하여, 상기 박막이 노출되도록 언더컷(Undercut)을 형성하는 단계;Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 상기 레진 패턴 층, 상기 금속 산화박막 패턴 층 또는 상기 박막 중 어느 하나 이상의 상부에 금속, 금속 산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물 막 중 어느 하나 이상의 막을 형성하는 단계 및상기 금속, 금속 산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물 막 패턴 중 어느 하나 이상을 용매를 이용해 리프트 오프(Lift-Off)하여 나노 구조체를 취득하는 단계를 포함하며,상기 임프린트 레진 층은,Si 또는 SiO2, ZrO2, TiO2, ZnO, Fe2O3 또는 Y2O3 중 어느 하나 이상이 포함된 금속산화물 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 임프린트용 스탬프를 압착하고, 마이크로웨이브(Microwave), X선, 감마선 또는 자외선 중 어느 하나를 10초~10분간 조사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 3 |
3
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 층은,PVC(Polyvinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, SOG(Spin On Glass), PDMS(Polydimethylsiloxane), PVFM(Poly Vinyl formal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide 또는 LOR 중 어느 하나의 고분자 물질로 이루어지며, 두께가 20㎚~1000㎚로 형성된 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 층은,상기 기판 또는 상기 박막의 상부에 고분자 물질을 스핀코팅하고, 50℃~200℃ 온도로 30초~500초간 가열처리하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층은,리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po) 또는 우라늄(U)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 7 |
7
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층은,에틸헥사노에이트(Ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(Acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(Dialkyldithiocarbamates), 카르복실산(Carboxylic acids), 카르복실레이트(Carboxylates), 피리딘(Pyridine), 디아민(Diamines), 아르신(Arsines), 디아르신(Diarsines), 포스핀(Phosphines), 디포스핀(Diphosphines), 부톡사이드(Butoxide), 이소프로팍사이드(Isopropoxide), 에톡사이드(Ethoxide), 클로라이드(Chloride), 아세테이트(Acetate), 카르보닐(Carbonyl), 카르보네이트(Carbonate), 하이드록사이드(Hydroxide), 아레네스(Arenas), 베타-디케토네이트(Beta-Diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-Nitrobenzaldehyde) 또는 아세테이트 디하이드레이트(Acetate Dihydrate) 중 어느 하나 이상의 유기물 리간드로 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 8 |
8
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층은,헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-Methyl-2-Pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(Dimethyl Sulfoxide: DMSO), 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide: DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran: THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 또는 2-메톡시에탄올(E-Methoxyethanol)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 용매를 이용해 생성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 9 |
9
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 산화박막 패턴 층은,상기 임프린트용 스탬프를 압착하고, 마이크로웨이브(Microwave), X선, 감마선 또는 자외선 중 어느 하나를 1분~50분간 조사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 10 |
10
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 식각은,가스 또는 불활성 가스를 이용하며, 10~30 mTorr의 공정압력, O2 30~60 SCCM, RF Power 50~200W의 조건으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 11 |
11
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속, 금속 산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물 막은, 전자빔 증착기를 이용하여 20㎚~1000㎚의 두께로 형성되며, 상기 나노 구조체 형성을 위한 기판 또는 마스크(Mask)로 이용되는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 12 |
12
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 구조체는,구, 점, 튜브, 원뿔, 반구, 다각뿔, 다각기둥 또는 원기둥 중 어느 하나 이상의 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 13 |
13
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 구조체는,기판과 접하는 하부의 폭이 상부의 폭 보다 넓은 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 14 |
14
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 구조체는,수직방향을 기준으로 좌우 비대칭 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
| 15 |
15
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 구조체는,상기 식각 공정 중 발생하는 폴리머 접착 현상이 없어, 상기 나노 구조체의 일 측부에 상기 폴리머가 잔존하지 않는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조 방법
|
