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임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정과 리프트 오프(Lift-Off) 공정을 이용하여 3차원 형태의 금속 또는 금속 산화막 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서, 기판에 고분자 층을 형성하는 단계;Zirconyl 2-ethylhexanoate과 헥산(hexane)을 이용하여 감광성 ZrO2 레진을 합성하고, 상기 고분자 층 상부에 스핀 코팅(Spin Coating)한 후, 50℃~100℃의 온도에서 30초~500초 동안 열처리하여 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계;실리콘 마스터 스탬프 상단에 PTFE(PolyTetraFluoroEthylene) 레진을 적하시키고, PET(PolyEthylene-Terephthalate) 기판을 압착시킨 후 자외선을 조사하여 제조된 패턴(Pattern)이 형성된 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)를 준비하는 단계;상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 상기 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 혼용한 방법으로 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 경화하여 패턴층을 형성하는 단계;상기 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)를 상기 패턴층으로부터 제거하는 단계;건식 식각으로 상기 패턴층 하부의 상기 고분자 층을 식각하여, 상기 기판이 노출되도록 언더컷(Undercut)을 형성하는 단계; 상기 패턴층 상부 또는 노출된 상기 기판의 상부에 전자 빔 증착기를 이용하여 금속 또는 금속 산화막을 형성하되, 상기 전자 빔 증착기 이용시에 상기 기판의 위치, 회전 및 속도 중 어느 하나를 조절하여 금속 또는 금속 산화막을 형성하는 단계;용매를 이용하여 상기 패턴층을 리프트 오프(Lift-Off)하여 나노구조체를 취득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 3차원 구조의 정렬된 나노구조체 제조방법
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임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정과 리프트 오프(Lift-Off) 공정을 이용하여 3차원 형태의 금속 또는 금속 산화막 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서, 박막에 고분자 층을 형성하는 단계;Zirconyl 2-ethylhexanoate과 헥산(hexane)을 이용하여 감광성 ZrO2 레진을 합성하고, 상기 고분자 층 상부에 스핀 코팅(Spin Coating)한 후, 50℃~100℃의 온도에서 30초~500초 동안 열처리하여 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계;실리콘 마스터 스탬프 상단에 PTFE(PolyTetraFluoroEthylene) 레진을 적하시키고, PET(PolyEthylene-Terephthalate) 기판을 압착시킨 후 자외선을 조사하여 제조된 패턴(Pattern)이 형성된 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)를 준비하는 단계;상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 상기 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 혼용한 방법으로 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 경화하여 패턴층을 형성하는 단계;상기 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)를 상기 패턴층으로 부터 제거하는 단계;건식 식각으로 상기 패턴층 하부의 상기 고분자 층을 식각하여, 상기 박막이 노출되도록 언더컷(Undercut)을 형성하는 단계;상기 패턴층 상부 또는 노출된 상기 박막의 상부에 전자 빔 증착기를 이용하여 금속 또는 금속 산화막을 형성하되, 상기 전자 빔 증착기 이용시에 상기 박막의 위치, 회전 및 속도 중 어느 하나를 조절하여 금속 또는 금속 산화막을 형성하는 단계;용매를 이용하여 상기 패턴층을 리프트 오프(Lift-Off)하여 나노구조체를 취득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 3차원 구조의 정렬된 나노구조체 제조방법
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제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 층은,PVC(Polyvinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, PDMS(Polydimethylsiloxane), PVFM(Poly Vinyl formal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 3차원 구조의 정렬된 나노구조체 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 고분자 층은,50㎚~1000㎚ 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 3차원 구조의 정렬된 나노구조체 제조방법
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제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 상기 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 혼용한 방법으로 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 경화하여 패턴층을 형성하는 단계는,30℃~300℃ 온도에서 1초~5시간 동안 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 가열하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 3차원 구조의 정렬된 나노구조체 제조방법
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제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 상기 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 혼용한 방법으로 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 경화하여 패턴층을 형성하는 단계는,마이크로웨이브(Microwave), X선, 감마선 또는 자외선 중 어느 하나를 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층에 조사하며, 상기 자외선 조사 시 조사시간은 1초~5시간인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 3차원 구조의 정렬된 나노구조체 제조방법
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제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 건식 식각은,Cl2, HBr, HCl, SF6, CF4, CHF3, NF3, O2 또는 CFCs(ChloroFluoroCarbons)로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 3차원 구조의 정렬된 나노구조체 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 건식 식각은, N2, Ar 또는 He 중 하나 이상의 불활성 가스를 더 포함하여 이용하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 3차원 구조의 정렬된 나노구조체 제조방법
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