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기판 또는 박막 상면에 결합 금속층(Bonding Metal)을 형성하고, 상기 결합 금속층 상면에 p형 반도체층 그리고 그 상면에 활성층 및 n형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 n형 반도체층 상면에 임프린트 레진층(Imprint resin)을 형성하는 단계;습식 식각을 통해 N-face n-GaN 기판에 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상을 포함하는 요철이 형성된 n-GaN 템플레이트(Template)를 형성하거나, 실리콘 웨이퍼(Si wafer) 상부에 포토레지스트 패턴(Photoresist Pattern)을 형성하고, 빛을 이용한 포토케미컬 에칭(Photochemical etching)을 통해 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상을 포함하는 요철이 형성된 실리콘 템플레이트를 형성하고, 상기 n-GaN 템플레이트 또는 실리콘 템플레이트에 실리콘(Si), 석영(Quartz) 또는 고분자 중 어느 하나의 물질을 주입하여 임프린트 스템프(Imprint stemp)를 형성하는 단계;상기 임프린트 레진층 상면을 상기 임프린트 스템프로 가압하고, 열 또는 빛 조사 방법 중 하나 또는 혼용 방법으로 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상이 포함된 요철 패턴이 생성된 레진 패턴 층을 형성하는 단계;건식 식각을 통해 상기 레진 패턴을 제거하여, 상기 n형 반도체에 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상이 포함된 요철 패턴을 형성하는 단계;다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상이 포함된 요철 패턴이 형성된 상기 n형 반도체에 n-전극을 형성하여 발광다이오드 소자를 취득하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법
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제 7항에 있어서, 상기 기판 또는 박막 상면에 결합 금속(Bonding Metal), p형 반도체, 활성층 및 n형 반도체를 순차적으로 형성하는 단계 이 후,상기 n형 반도체 상면에 유전체 마스크 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법
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제 7항에 있어서, 상기 습식 식각은,불산(HF), 염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 인산(H3PO4), 옥살산(Oxalic Acid), 완충 산화물 에칭체(Buffered Oxide Etchant, BOE), 수산화나트륨(NaOH) 또는 과산화수소(H2O2) 중 어느 하나 또는 이들의 조합에 의한 혼합용액을 15℃~90℃ 온도에서, 3초~3시간 동안 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 유전체 마스크는,SiO2(Silicon diocide), Si3N4(Silicon Nitride), Al2O3, TiO2, ZnS 및 CaF2 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법
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제 7항에 있어서, 상기 임프린트 레진은,가교성 모노머, 아크릴산 에스테르 모노머, 방향족 비닐계 모노머, 수산기를 갖는 불포화 모노머, 산기를 갖는 불포화 모노머, 중합 연쇄 이동제, 산화 안정제 또는 중합 개시제 중 어느 하나 이상을 포함하며,임프린트용 스탬프를 압착하고, 마이크로웨이브(Microwave), X선, 감마선 또는 자외선 중 어느 하나를 30℃ ~ 300℃ 온도에서, 1초 ~ 5초간 조사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법
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제 7항에 있어서, 상기 건식 식각은,스퍼터 에칭(Sputter Etching), 리엑티브 레디컬 에칭(Reactive Radical Etching) 또는 리엑티브 이온 에칭(Reactive Lon Etching) 중 어느 하나의 방법으로 이루어지고, Cl2, HBr, HCl, SF6, CF4, CHF3, NF3, O2, BCl3 및 CFCs(ChloroFluoroCarbons)로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 건식 식각은,N2, Ar 및 He 중 하나 이상의 불활성 가스를 더 포함하며,10~30 mTorr의 공정압력, RF power 50~200W의 조건으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법
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