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질화물계 반도체 발광소자 및 제조 방법

기술번호 : KST2015217125
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 발광소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 특히 제 1 p형 3족 질화물층 상면에 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층을 더 포함하는 질화물계 반도체 발광소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 질화물계 반도체 발광소자는 베이스 기판, 베이스 기판상에 위치하는 u-질화물층, u-질화물층 상에 위치하는 n형 3족 질화물층, n형 3족 질화물층 상에 위치하는 제 1 p형 3족 질화물층, n형 3족 질화물층과 제 1 p형 3족 질화물층 사이에 형성되는 활성층을 포함한 다중양자우물구조(Multiple Quantum Well, MQW), 제 1 p형 3족 질화물층 상면에 형성되는 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층, MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층 상면에 형성되는 제 2 p형 3족 질화물층을 포함한다.나아가, 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법은 베이스 기판 상면에 u-질화물층, n형 3족 질화물층, MQW 및 제 1 p형 3족 질화물층을 형성하는 단계, p형 3족 질화물층 상면에 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층을 형성하는 단계, MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층 상면에 제 2 P형 3족 질화물층을 형성하는 단계를 포함한다.더 나아가, 제 1 P형 3족 질화물층 또는 제 2 p형 3족 질화물층은 금속유기 화학기상증착 장비(Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)을 이용하여 500 내지 1200°온도에서 형성된다.또한, 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자는 Mg로 도펀트된 제 1 p형 3족 질화물층 상에 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층을 형성하여 상기 제 1 p형 3족 질화물층과 상기 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층이 같은 원료(Mg)를 사용하기 때문에 높은 정공 농도를 보이는 질화물 반도체를 얻을 수 있는 이점이 있다.
Int. CL	H01L 33/04 (2014.01) H01L 33/16 (2014.01)
CPC	H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자	1020110138207 (2011.12.20)
출원인	(재)한국나노기술원
등록번호/일자	10-1309506-0000 (2013.09.11)
공개번호/일자	10-2013-0070931 (2013.06.28) 문서열기
공고번호/일자	(20130923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.12.20)
심사청구항수	12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	(재)한국나노기술원	대한민국	경기도 수원시 영통구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	송근만	대한민국	경기도 용인시 수지구
2	김종민	대한민국	경기도 수원시 팔달구
3	신찬수	대한민국	경기도 수원시 영통구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	이준성	대한민국	서울특별시 강남구 삼성로길 , ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	(재)한국나노기술원		경기도 수원시 영통구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.12.20	수리 (Accepted)	1-1-2011-1013307-12
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.07.12	수리 (Accepted)	4-1-2012-5149774-07
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.10.22	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.11.15	수리 (Accepted)	9-1-2012-0084926-60
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.11.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0713483-16
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.01.28	수리 (Accepted)	1-1-2013-0077802-24
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.01.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0077800-33
8	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2013.05.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0305149-02
9	[명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2013.06.03	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2013-0492556-65
10	등록결정서 Decision to Grant Registration	2013.07.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0456502-13
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.06.30	수리 (Accepted)	4-1-2015-5087922-39

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 베이스 기판;상기 베이스 기판상에 위치하는 u-질화물층;상기 u-질화물층 상에 위치하는 n형 3족 질화물층;상기 n형 3족 질화물층 상에 위치하며, Mg로 도핑된 제 1 p형 3족 질화물층;상기 n형 3족 질화물층과 제 1 p형 3족 질화물층 사이에 형성되는 활성층을 포함한 다중양자우물구조(Multiple Quantum Well, MQW);상기 제 1 p형 3족 질화물층 상면에 MgxInzNy, MgxAlzNy 또는 MgxGazNy (0＜x＜1, 0＜y≤1)중 어느 하나 이상을 포함하여 형성되는 MgxNy(0003c#x≤1, 0003c#y≤1)층; 및상기 MgxNy(0003c#x≤1, 0003c#y≤1)층 상면에 형성되는 제 2 p형 3족 질화물층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
2	2 제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판은 r-plane 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제 1 p형 3족 질화물층 또는 상기 제 2 p형 3족 질화물층은 p-(Al)GaN, p-(In)GaN 또는 p-GaN 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 p형 3족 질화물층 또는 상기 제 2 p형 3족 질화물층은 Mg을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
5	5 삭제
6	6 제 1 항에 있어서,상기 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층의 두께는 0
7	7 제 1 항에 있어서,상기 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층 및 상기 제 2 p형 3족 질화물층은 1층 내지 100층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
8	8 제 7항에 있어서,상기 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층 및 상기 제 2 p형 3족 질화물층은 두께가 모두 동일한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
9	9 제 7항에 있어서,상기 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층 및 상기 제 2 p형 3족 질화물층은 두께가 적어도 1개 이상은 서로 상이한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
10	10 베이스 기판 상면에 u-질화물층, n형 3족 질화물층, 다중양자우물구조(Multiple Quantum Well) 및 Mg로 도핑된 제 1 p형 3족 질화물층을 순서대로 형성하는 단계;상기 제 1 p형 3족 질화물층 상면에 MgxInzNy, MgxAlzNy 또는 MgxGazNy (0＜x＜1, 0＜y≤1)중 어느 하나 이상을 포함하는 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층을 형성하는 단계; 및상기 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층 상면에 제 2 p형 3족 질화물층을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법
11	11 제 10항에 있어서, 상기 제 2 p형 3족 질화물층을 형성하는 단계 후,상기 제 2 p형 3족 질화물층에 Mg를 도핑하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법
12	12 삭제
13	13 제 10항에 있어서, 상기 MgxNy(0＜x≤1, 0＜y≤1)층 및 상기 제 2 p형 3족 질화물층은,1개 내지 100개가 반복 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법
14	14 제 10항에 있어서, 상기 제 1 p형 3족 질화물층 또는 상기 제 2 p형 3족 질화물층은,금속유기 화학기상증착 장비(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)을 이용하여 500℃ 내지 1200℃온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	전자부품연구원	무분극 (Non-polar) LED용 에피/칩	무분극 LED용 에피/칩 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1309506-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20111220 출원 번호 : 1020110138207 공고 연월일 : 20130923 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130701 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 33/04 발명의 명칭 : 질화물계 반도체 발광소자 및 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	256,500 원	2013년 09월 11일	납입
제 4 년분	금 액	212,800 원	2016년 09월 02일	납입
제 5 년분	금 액	212,800 원	2017년 09월 08일	납입
제 6 년분	금 액	152,000 원	2018년 09월 03일	납입
제 7 년분	금 액	278,000 원	2019년 09월 03일	납입
제 8 년분	금 액	278,000 원	2020년 09월 01일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.12.20	수리 (Accepted)	1-1-2011-1013307-12
2	출원인정보변경(경정)신고서	2012.07.12	수리 (Accepted)	4-1-2012-5149774-07
3	선행기술조사의뢰서	2012.10.22	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2012.11.15	수리 (Accepted)	9-1-2012-0084926-60
5	의견제출통지서	2012.11.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0713483-16
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.01.28	수리 (Accepted)	1-1-2013-0077802-24
7	[명세서등 보정]보정서	2013.01.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0077800-33
8	거절결정서	2013.05.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0305149-02
9	[명세서등 보정]보정서(재심사)	2013.06.03	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2013-0492556-65
10	등록결정서	2013.07.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0456502-13
11	출원인정보변경(경정)신고서	2015.06.30	수리 (Accepted)	4-1-2015-5087922-39


과제고유번호	1415115474
세부과제번호	KI002099
연구과제명	무분극(Non-Polar) LED용 에피/칩
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	전자부품연구원
성과제출연도	2011
연구기간	200903~201202
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	기타


과제고유번호	1415115474
세부과제번호	KI002099
연구과제명	무분극(Non-Polar) LED용 에피/칩
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	전자부품연구원
성과제출연도	2011
연구기간	200903~201202
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	기타

특허성과

[1020110145408]	적층 결함이 없는 질화물 반도체 상의 고품질 반도체 소자의 제조 방법	새창보기
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[1020110142814]	절연체 패턴을 갖는 이종 기판 및 그를 이용한 질화물계 반도체 소자	새창보기
[1020110142630]	질화물계 발광 다이오드 및 그의 제조 방법	새창보기
[1020110138207]	질화물계 반도체 발광소자 및 제조 방법	새창보기
[1020110079338]	전자 터널링 배리어층을 갖는 고효율 반도체 광소자 구조 및 제조 방법	새창보기
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중요키워드

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