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수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015217129
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 누설전류 특성을 개선하기 위한 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 도전성 지지층, 상기 도전성 지지층 상에 형성된 p형 전극, 상기 p형 전극 상에 형성된 p형 반도체층, 상기 p형 반도체층 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 n형 반도체층, 상기 p형 전극 측벽에서 누설되는 전류를 방지하기 위해서 상기 도전성 지지층과 상기 p형 전극의 사이 인접부에 형성된 패시베이션층 및 상기 p형 반도체층 상의 일부분에 형성된 n형 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.나아가, 수직형 발광 다이오드 제조방법은 먼저, 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 반도체층을 형성하는 1단계, 상기 p형 반도체층 상에 금속물질로 이루어진 p형 전극을 형성하는 2단계, 상기 p형 전극 상에 도전성 지지층을 접합시킨 후, 상기 기판을 제거하는 3단계, 상기 기판을 제거하여 노출된 n형 반도체층부터 상기 p형 전극까지 측벽을 수직방향으로 메사 식각하는 4단계, 상기 메사 식각하여 노출된 p형 전극 및 상기 도전성 지지층 사이 인접부에 패시베이션층을 형성하는 5단계 및 상기 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 6단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/44 (2010.01)
CPC H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01)
출원번호/일자 1020110139021 (2011.12.21)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1411375-0000 (2014.06.18)
공개번호/일자 10-2013-0071675 (2013.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20140626) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재혁 대한민국 경기도 화성시
2 신찬수 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 김동현 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 배성주 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 주인찬 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-1017649-04
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2012-0071444-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0706226-24
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0051447-10
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0157345-14
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0246764-07
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0353760-02
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0353734-14
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0578277-62
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0863077-09
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.09.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0863076-53
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0723014-30
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1113847-36
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0207068-60
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Al, TiN, Cu, Ni, W 및 Mo 계 금속 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속 또는 금속 합금으로 이루어진 도전성 지지층;상기 도전성 지지층 상에 형성되고, 니켈, 백금, 은 및 금 중 선택된 어느 하나 이상의 금속 물질이 복수 개의 층으로 증착되어 이루어지며, 오믹컨텍층과 반사층을 포함하여 구성된 p형 전극;상기 p형 전극 상에 형성된 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 n형 반도체층;상기 p형 전극 측벽에서 누설되는 전류를 방지하기 위해서 상기 p형 전극의 측벽 인접부의 상기 도전성 지지층 상에 부분 형성되되, 상기 p형 반도체층의 측벽, 상기 활성층의 측벽 및 상기 n형 반도체층의 측벽 일부에 형성되며, 실리콘 산화물(SiOх), 실리콘 질화물(SiNх), 이산화티타늄(TiO2) 및 탄탈륨 산화막(TaхOy) 중 선택된 어느 하나 이상의 절연물질로 이루어진 패시베이션층; 및상기 n형 반도체층 상의 일부분에 형성된 n형 전극;을 포함하는 수직형 발광 다이오드
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4 4
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5 5
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기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 형성하는 1단계;상기 p형 반도체층 상에 금속물질로 이루어진 p형 전극을 형성하는 2단계;상기 p형 전극 상에 도전성 지지층을 접합시킨 후, 상기 기판을 제거하는 3단계;상기 기판을 제거하여 노출된 n형 반도체층부터 상기 p형 전극까지 측벽을 수직방향으로 메사 식각하는 4단계;상기 메사 식각하여 노출된 p형 전극 및 상기 p형 전극 측벽 인접부의 상기 도전성 지지층 상에 부분 형성되되, 상기 p형 반도체층의 측벽, 상기 활성층의 측벽 및 상기 n형 반도체층의 측벽 일부에 패시베이션층을 형성하는 5단계; 및상기 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성하고, 상기 n형 반도체층을 임프린트로 패턴층을 형성하여 상기 n형 반도체층의 광추출 효율을 증가시키는 6단계;로 이루어지는 수직형 발광 다이오드 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 경기도 나노소자특화팹센터 경기도 기술개발사업(전략산업) 일반조명용 수직형구조의 LED 기술개발